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      ON Semiconductor

      FDS3512

      MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

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      FDS3512 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        4 A
      • 額定電壓
        80 V
      • 閾值電壓
        2.4 V
      • 連續(xù)漏極電流
        4 A
      • 輸入偏置電容
        634 pF
      • 漏源電阻
        70 mΩ
      • 漏源電壓
        80 V
      • 漏源極擊穿電壓
        80 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        70 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        18 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        7 ns
      • 反向傳輸電容
        28 pF
      • 功率耗散
        1 W, 2.5 W
      • 擊穿電壓
        80 V
      • 關(guān)閉延遲時間
        24 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        4 ns
      • 上升時間
        3 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      FDS3512 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • FDS3512
        1年前
        Huaqiu Chip

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