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      Vishay

      SIRA58DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

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      SIRA58DP-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        60 A
      • 輸入偏置電容
        3.75 nF
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        2.65 mΩ
      • 柵極電荷@10V
        75 nC
      • 晶體管類(lèi)型
        N溝道
      • 功率耗散
        27.7 W

      Physical

      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PowerPAK?SO-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      SIRA58DP-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Future
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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