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      Vishay

      BPW85C

      PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM

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      BPW85C 器件參數

      Function

      • 額定電流
        50 mA
      • 額定電壓
        5 V
      • 額定功率
        100 mW
      • 集電極電流
        50 mA
      • 集電極發射極飽和電壓
        300 mV
      • 集電極-發射極電壓
        70 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        70 V
      • 通道數量
        1
      • 波長
        850 nm
      • 極性
        NPN
      • 暗電流
        200 nA
      • 功率耗散
        100 mW
      • 功率消耗
        100 mW
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        2.3 μs
      • 上升時間
        2 μs

      Physical

      • 鏡片顏色
        Clear
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度
        -40 °C, 100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 可視角度
        25 o
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        T

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        4.5 mm
      • 長度
        3.4 mm
      • 寬度
        3.4 mm

      BPW85C EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BPW85C 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • poYBAGPEgtOAODjBAAGI6-ARQvA981.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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