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      Texas Instruments (TI)

      CSD83325LT

      MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR

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      CSD83325LT 器件參數

      Function

      • 阻值
        9.9 mΩ
      • 閾值電壓
        950 mV
      • 連續漏極電流
        8 A
      • 漏源電壓
        12 V
      • 柵源電壓
        10 V
      • 柵極電荷@4.5V
        10.9 nC
      • 晶體管類型
        2個N溝道(雙)共漏
      • 接通延遲時間
        205 ns
      • 功率耗散
        2.3 W
      • 關閉延遲時間
        711 ns
      • 下降時間
        589 ns
      • 上升時間
        353 ns
      • FET功能
        標準

      Physical

      • 端子間距
        0.65 mm
      • 引腳數
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Cut Tape
      • 制造商封裝
        BGA-6

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      CSD83325LT 數據手冊

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        來源
      • 1年前
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