PN8575P 12w內(nèi)置BJT原邊反饋芯片
型號:
PN8575P
特性
?內(nèi)置800V BJT
?采用多模式技術(shù)提高效率,滿足5級能效標(biāo)準(zhǔn)
?全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
?原邊反饋可省光耦和TL431
?恒壓、恒流、輸出線補償外部可調(diào)
?無需額外補償電容
?無音頻噪聲
?智能保護功能
? 過溫保護 (OTP)
? VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
? 逐周期過流保護 (OCP)
? CS開/短路保護 (CS O/SP)
? 輸入欠壓保護 (BO)