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描述

這款90mΩ，30V N通道FemtoFET?MOSFET技術(shù)經(jīng)過了設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠以最大限度減小許多手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的封裝尺寸。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)MOSFET的同時(shí)將封裝尺寸減小60％以上。

特性

超低導(dǎo)通電阻
超低Q _g和Q _gd
低閾值電壓
超小型封裝尺寸（0402外殼尺寸）
- 1.0mm×0.6mm
< /li>
超薄
- 高度0.35mm
集成型靜電放電（ESD）保護(hù)二極管
- 額定值＆gt ; 4kV人體放電模型（HBM）
- 額定值＆gt; 2kV充電器件模型（CDM）
無先且無鹵素
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
?