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數(shù)據(jù): CSD18503Q5A 40V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. C)
這款40V,3.4mΩ,5mm x 6mm SON NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
? |
---|
VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
? |
CSD18503Q5A |
---|
40 ? ? |
Single ? ? |
6.2 ? ? |
4.3 ? ? |
400 ? ? |
26 ? ? |
4.3 ? ? |
SON5x6 ? ? |
20 ? ? |
1.8 ? ? |
120 ? ? |
100 ? ? |
Yes ? ? |