20480位非易失性(NV) EEPROM被分為80個(gè)256位頁(yè)獨(dú)立的一塊8頁(yè)存儲(chǔ)器(塊)可以設(shè)置為永久的寫保護(hù)或OTP EPROM仿真模式(“寫為0”)讀寫訪問(wèn)高度向后兼容以前的器件(例如，DS2433)256位暫存器，遵循嚴(yán)格的讀/寫協(xié)議，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐暾?25°C溫度下200k擦寫次數(shù)工廠編程的64位唯一注冊(cè)碼，確保無(wú)錯(cuò)的器件選擇和絕對(duì)的器件識(shí)別開關(guān)滯回和濾波優(yōu)化噪聲性能使用1-Wire協(xié)議以15.4kbps或125kbps速率與主機(jī)進(jìn)行通信低成本TO-92封裝工作范圍：5V ±5%，-40°C至+85°C工作范圍：4V至5.25V, -40°C至+85°C工作范圍：3.135V至3.465V, 0°C至+70°C (僅限標(biāo)準(zhǔn)速度) I/O引腳具有IEC 1000-4-2等級(jí)4 ESD保護(hù)(典型值：8kV接觸，15kV氣隙) DS28EC20是一款20480位、1-Wire? EEPROM，分為80個(gè)256位的存儲(chǔ)器頁(yè)。器件提供一個(gè)額外的頁(yè)用于控制功能。數(shù)據(jù)被寫入一個(gè)32字節(jié)暫存器，經(jīng)過(guò)校驗(yàn)后，復(fù)制到EEPROM存儲(chǔ)器。器件具有一個(gè)特殊功能，可以將8個(gè)存儲(chǔ)器頁(yè)設(shè)置為寫保護(hù)或EPROM仿真模式，在EPROM仿真模式下各個(gè)位僅能由1修改為0狀態(tài)。DS28EC20通過(guò)單個(gè)觸點(diǎn)的1-Wire總線進(jìn)行通信，遵循標(biāo)準(zhǔn)1-Wire協(xié)議。各個(gè)器件均具有不可修改的、64位唯一ROM注冊(cè)碼，由工廠光刻入芯片。該注冊(cè)碼可用于在多節(jié)點(diǎn)1-Wire網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中尋址器件。應(yīng)用機(jī)架系統(tǒng)中的卡/模塊識(shí)別設(shè)備識(shí)別IEEE 1451.4傳感器墨盒/色帶盒ID醫(yī)學(xué)與工業(yè)傳感器識(shí)別/校準(zhǔn)PCB識(shí)別智能電纜