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5? 拿什么來拯救摩爾定律？IBM 9nm工藝碳納米晶體管！
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隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內存等芯片的發展勢必與摩爾定律有些出入。要想繼續按照摩爾定律發展，尋求新材料就成為一種必然。
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自上周IBM傳出消息稱，碳納米材料研究已取得重大技術突破，IBM實現了再單芯片上集成上萬個碳納米晶體管首次突破！雖然比起現今硅晶體管密度還有差距，但這是新材料取代硅晶體管的重要一步。
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另外，在尋求新材料上，3D芯片結構也是一個研究方向。目前，三星、IBM、英特爾等公司正致力于新材料3D芯片研究。
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詳情了解：http://elecfans.com/article/90/156/2012/1108296843.html
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6? McGill University物理學家發現未來奈米晶片設計大障礙
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??? 日前，來自加拿大麥基爾大學?(McGill University)物理學家們證實，當導線是由兩種不同的金屬組成時，電流有可能會大幅度降低；這意味著未來的半導體設計可能遇到障礙。
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由麥基爾大學研究團隊與來自GM研發中心科學家Yue Qi合作完成的合金觸點的原子結構機械模型，證實了兩種金屬之間電子結構的相異性會導致電流降低四倍，就算兩種材料達成完美介面也是一樣。
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研究發現，結合兩種金屬材料而產生的晶體缺陷——正常排列的原子發生錯位，是造成電流下降的進一步原因。未來需要更多的研究來克服這樣的問題，而解決辦法可能是材料選擇或者其他處理技術。
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7? 三星電子明年電腦存儲芯片投資將減半
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鑒于個人電腦用存儲芯片需求疲軟，三星電子考慮明年將電腦存儲芯片投入減半，這是三星繼2009年三星在半導體業務上投資后，再一次壓縮其半導體投資規模。
目前，三星的首要任務是清理庫存。通過縮減傳統半導體產品投資，集中關注于非內存業務，并使其現有設施升級到更為先進的工藝技術。該領域可為三星獲取更加豐厚的利潤。
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據悉，隨著投資計劃的縮減，2014年三星中國閃芯基地投產最初產能將縮減至每月3萬片。另外，三星正投資70億美元，在中國西安興建其大陸首家芯片基地。
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8? 低發散角半導體激光器芯片技術獲得突破性進展
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近日，中科院知識創新工程領域前沿項目“大功率高亮度光子晶體激光器及列陣”取得階段性進展。科研人員通過布拉格反射波導結構，成功將半導體激光快軸（垂直）發散角從40o降低到7.5o，慢軸（水平）發散角7.2o，實現近圓形光束出光。
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一直以來，半導體激光器最大缺點是較大的發散角及橢圓形出光光斑，導致較差光束質量。而研究小組采用雙邊橫向布拉格反射波導結構，該結構通過光子禁帶原理進行光學導波，所限制模式為光學缺陷模式，可以有效壓縮激光的遠場發散角。
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據悉，該類器件結構不僅可以用于量子阱激光器，還可以拓展到不同波長、不同增益介質的半導體激光器，如量子點、量子級聯激光器等。這可以從芯片結構角度徹底改變半導體激光器發散角大而不對稱的缺點。