緩沖氧化物蝕刻(BOE)是一種廣泛應用于半導體行業的蝕刻解決方案，通過光刻膠掩模蝕刻氧化物層，我們使用計算的主要結果，通過ATMELFab7現場的實驗實現，來測試共注入BOE的性能。

在我們的例子中，氫氧化銨將是保持最終溶液酸性的限制因素（少數），為了確保蝕刻步驟有過量的HF，必須制備混合物，使n2

圖2顯示了使用1800cc去離子水、100cc49wt%HF和0~200cc28wt%氫氧化銨的溶液中不同物種的計算分布。隨著更多氫氧化銨的加入，更多的HF反應產生NH4F,F增加的分數降低，同時HF和二聚體(HF)2的分數降低,hf2的行為是最有趣的,眾所周知，HF2-是一種蝕刻物種,不同的研究顯示了蝕刻速率或氟化物種與pH（3,4,5）之間的最優值,我們的模擬表明，最優的[HF2-]對應于1：1的HF：氫氧化銨混合物，對應的BOE比值接近3/1,稍后我們將看到這是一個臨界值,在這種條件下，我們將通過實驗觀察到在沒有蝕刻膠攻擊的情況下最高的蝕刻速率。

利用八個方程組，可以確定每個物種的正確濃度，并與觀察到的蝕刻速率相關聯，從而揭示參與蝕刻機制的化學物種。通過一些模擬，觀察了水對BOE系統的影響。實驗中隨著水量的增加，HF2濃度的下降速度遠遠快于HF濃度，HF2-/HF比值隨著稀釋度的增加而增加，事實上，hf2復合物通過稀釋法被分解成HF和F-。水的hf2解離影響的所有物種都受到影響，pH也從4.6變為3.6，由于hf2的分離，導致心衰的產生，pH隨稀釋度的增加而下降。

實驗結果是使用法國魯塞特ATMELFab7的FSI汞?MP表面調節系統獲得的。這些測試是使用8英寸的晶圓進行的。經過9點測量后給出的均勻性。在我們的實驗中，考慮了不同體積的28%的氫氧化銨與100cc的49%的HF的反應，由于氫氧化銨是反應的限制因素，氫氧化銨的體積是控制放熱性的關鍵參數，并允許在蝕刻均勻性方面優化過程。

根據將在混合物中使用的氫氧化銨體積，有可能優化工藝條件，并考慮到共注射的放熱性，圖6為HF、氫氧化銨和去離子水共注入流所產生的BOE蝕刻速率，有大量的蝕刻速率，允許工藝優化，如果需要，可以獲得相對較低的蝕刻率（小于1A/s）或更高的值，待蝕刻的厚度將決定最佳混合物的選擇，此外，還可以制備不同的共注入混合物，以獲得相似的蝕刻速率（例如，2A/s），最終的選擇將由蝕刻的均勻性性能決定。

圖7顯示了不同共注入BOE在晶片上的不均勻性，晶片上的不均勻性降至0.7%，可達到良好的跨船不均勻性（約1%），載流子的槽24最差，但在優化的條件下，晶片上的不均勻性小于2%?？梢杂^察到，NH4F的形成量越少，其均勻性就越好，我們將這一結果與NH4F使最終的解決方案更加粘稠，并在均勻性方面影響該過程的事實聯系起來。最后，最重要的是避免氧化蝕刻過程中對光刻膠的損傷。在我們的模擬證實，當BOEX/1比值大于3(pH大于3)時，氧化物成功蝕刻，對光刻膠沒有任何損傷，在同一張圖中，即使是非常稀釋（200倍）的高頻溶液的pH仍低于3，這使得這些溶液對于臨界蝕刻遠不如BOE方便。

總結

通過我們求解的八個方程系統，我們能夠估計出共注入BOE蝕刻過程中所涉及的蝕刻物種的濃度，混合比可以針對不同的應用程序進行優化，這些圖顯示了HF、氫氧化銨和水稀釋對蝕刻系統中物種平衡的作用。
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審核編輯：鄢孟繁