我們知道，所有測(cè)量?jī)x器（包括示波器）都有其性能的限制，都會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果帶來(lái)影響。我們要使用特定的探頭將示波器連接到電路上的行為會(huì)以特定的方式影響測(cè)量。探頭在測(cè)試點(diǎn)與待測(cè)電路并聯(lián)，通過(guò)施加額外的電阻和電容負(fù)載來(lái)影響電路。

此外，由于帶寬、上升時(shí)間和共模響應(yīng)的限制，探頭本身也限制了測(cè)量的準(zhǔn)確度。因此，在進(jìn)行測(cè)量時(shí)，比較不同的探頭對(duì)測(cè)量的影響是不同的，但不要嘗試一次全部完成。

如果同時(shí)將兩個(gè)或多個(gè)探頭連接到同一測(cè)試點(diǎn)，會(huì)發(fā)生什么情況？探頭之間會(huì)相互影響，改變彼此的響應(yīng)。讓我們看一下兩種不同的探頭分別如何影響LED驅(qū)動(dòng)器中上側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器測(cè)量的情況。一種探頭是高壓光纖光隔離探頭（HVFO），另一個(gè)“探頭”是一個(gè)老式的差分放大器（DA），它使用一對(duì)匹配的高壓探頭來(lái)實(shí)現(xiàn)差分輸入。

首先，分別使用每個(gè)探頭進(jìn)行測(cè)量，如下圖所示。

用DA探頭進(jìn)行的測(cè)量顯示出更多異常，與HVFO探頭相比，大多數(shù)異常可歸因于較差的共模抑制比（CMRR）。這在正脈沖的上升沿之前的負(fù)脈沖中最為明顯，這發(fā)生在下側(cè)MOSFET狀態(tài)改變時(shí)，這是一個(gè)很快的dV/dT事件，會(huì)產(chǎn)生明顯的共模干擾。具有較高CMRR的HVFO探頭受到的影響較小：與DA探頭相比，幅度小一半。在脈沖的基線和頂部，DA探頭測(cè)量的波形傾斜可能是由其探頭對(duì)的負(fù)載引起的。

現(xiàn)在，讓我們看一下同時(shí)在電路中使用HVFO和DA探頭進(jìn)行測(cè)量的結(jié)果，如下圖所示。

當(dāng)兩個(gè)探頭同時(shí)連接時(shí)，它們會(huì)相互增加負(fù)載，從而導(dǎo)致其響應(yīng)發(fā)生變化。請(qǐng)注意，當(dāng)獨(dú)立進(jìn)行測(cè)量時(shí)，HVFO探頭的負(fù)尖峰幅度更小。DA探頭的額外負(fù)載降低了HVFO探頭的CMRR。此外，DA的電路負(fù)載改變了測(cè)試點(diǎn)的波形，而HVFO測(cè)量的波形也隨之改變。從本質(zhì)上講，DA的負(fù)載已與HVFO探頭結(jié)果耦合在一起。
? ? ? ?顯而易見(jiàn)的結(jié)論是，不應(yīng)同時(shí)使用多個(gè)探頭連接到同一測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量。如果要比較不同探頭的結(jié)果，最好的進(jìn)行方法是單獨(dú)測(cè)量，將采集的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到示波器存儲(chǔ)器中。然后，可以調(diào)出波形并將其與實(shí)時(shí)采集的波形或另一個(gè)存儲(chǔ)的波形進(jìn)行比較，而不會(huì)影響探頭的負(fù)載。

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