什么是無觸點開關

　　無觸點開關，是一種由微控制器和電力電子器件組成的新型開關器件，依靠改變電路阻抗值，階躍地改變負荷電流，從而完成電路的通斷。無觸點開關的主要特點是沒有可運動的觸頭部件，導通和關斷時不出現電弧或火花，動作迅速，壽命長，可靠性高，適合防火、防爆、防潮等特殊環境使用。

　　無觸點開關的優點

　　無觸點開關在電磁兼容性、可靠性、安全性等方面的優越性是觸點開關無法比擬的。無觸點開關是用可控硅來控制的，因此它是在PN結內部完成導通和截流的，不會有火花，彌補了觸點開關復合時有火花的不足，避免因電流過大出現火花或在高電壓電路中擊穿空氣，造成誤動作。無觸點開關的耐高壓性也很好，如一些大型電機在起動時，由于轉子由靜止變為轉動的慣性非常大，造成起動電流超大（基本相當短路電流），停機時由于慣性繼續運轉，會造成非常高的電壓，無觸點開關便可應用于此。

　　無觸點開關常見類型

　　1.以三端穩壓器實現的無觸點開關

　　三端穩壓器是設計者十分熟悉的常用廉價器件之一，圖1是利用三端穩壓器設計的開關電路。從控制端加入的信號決定是否將三端穩壓器與地導通，若導通則輸出端上電，否則輸出端相當于斷開。此電路十分簡單，也容易調試，且有多種電壓的穩壓器供選用，適用于直流負載的控制。缺點是穩壓器的管壓降使輸出電壓有所降低，不適合電池供電的設備。選用低壓差三端穩壓器可有所改善。

　　2.基于可控硅器件的無觸點開關

　　目前有很多這類的器件供選擇，如意法半導體公司（ST）的ACS系列產品。該產品可以直接用來控制風扇、洗衣機、電機泵等設備，隔離電壓可達到500V-1000V以上。圖2是其典型應用電路。此類器件價格低廉，但只能用于交流負載的開關控制。

　　3.基于光耦三極管和達林頓管的無觸點開關

　　基于光電三極管的無觸點開關被稱為光電耦合器（photocoupler），其工作原理如圖3所示。當輸入端加正向電壓時發光二極管（LED）點亮，光敏三極管會產生光電流從集電極供給負載；當輸入端加反向電壓時，LED不發光，使光敏三極管處于截止狀態，相當于負載開路。該器件的工作速度比較高，一般在微秒級或者更快。從工作原理看，這類器件主要應用于直流負載，也可用來傳輸電流方向不變的脈動信號。該器件的工作速度比較高，一般在微秒級或者更快。

　　達林頓管是兩個雙極性晶體管的復合。達林頓管的最大優點就是實現電流的多級放大，如圖4所示；缺點是飽和管壓降較大。由于兩個晶體管共集電極，整個達林頓管的飽和電壓等于晶體管Q2的正向偏置電壓與晶體管Q1的飽和電壓之和，而正向偏置電壓比飽和電壓高得多，這樣整個達林頓管的飽和電壓就特別的高，因此達林頓管導通時的功耗較高。

　　仙童半導體（fairchild）的達林頓光耦合器采用隔離達林頓輸出配置，將輸入光電二極管和初級增益與輸出晶體管分隔開來，以實現較傳統達林頓光電晶體管光耦合器更低的輸出飽和電壓（0.1V）和更高的運作速度。該公司推出5種最新產品，采用單及雙溝道配置，提供3.3V或5V工作電壓的低功耗特性。雙溝道HCPL0730和HCPL0731光耦合器提供5V電壓操作和SOIC8封裝，能實現最佳的安裝密度。單溝道FOD070L、FOD270L及雙溝道FOD073L器件的工作電壓為3.3V，比較傳統的5V部件，其功耗進一步減少33%。NEC公司的芯片PS2802.1/4，PS27021，PS25021/2/4，PS25621/2等也屬于達林頓光耦合器。

　　4.基于MOS或IGBT的無觸點開關

　　基于MOS場效應管的無觸點開關由于耦合方式不同有很多類，例如采用光電耦合方式的稱為光耦合MOS場效應管（OCMOSFET），原理如圖5所示，虛線框內為OCMOSFET的內部原理圖。

　　電路內部包括光生電壓單元，當發光二極管點亮時，該單元給場效應管的柵極電容充電，這樣就增大柵極與源極間的電壓，使MOS場效應管導通，開關閉合。當發光二極管熄滅時，光生電壓單元不再給柵極電容充電，而且內部放電開關自動閉合，強制柵極放電，因此柵源電壓迅速下降，場效應管截止，開關斷開。OCMOSFET有兩種類型：一種是導通型（maketype），常態下為斷開；另一種是斷開型（breaktype），常態下為導通。此處所指的是導通型。光耦合MOS場效應管是交直流通用的，工作速度沒有光電耦合器快，為毫秒級，它的輸出導通特性與輸入電流參數無關。OCMOSFET可以以弱控強，以毫安級的輸入電流驅動安級的電流。由于場效應管可以雙向導通、導通電阻低的特征，它主要用于中斷交流信號，如圖5所示，因此OCMOSFET又被稱為固態繼電器（SSR）。

　　基于MOS場效應管的無觸點開關器件很多，如日本電氣公司（NEC）的PS7200系列、ToshibaTLP351系列、松下NaisAQV系列均屬于此類。通常低導通電阻型適用于負載電流較大的場合，例如NECPS710B1A：導通電阻Ron=0.1Ω（最大），負載電流IL=2.5A（最大），導通時間Ton=5ms。低CR積型的光MOSFET適用于需要切換高速信號的場合，如測量儀表的測試端等。所謂CR積指的是輸出級MOSFET的輸出電容與接通電阻的乘積，他是評價MOSFET特性的一個參數指標。如NECPS7200H1A：導通電阻Ron=2.2Ω，CR積為9.2pF·Ω，導通時間Ton=0.5ms，負載電流IL=160mA。

　　絕緣柵雙極晶體管IGBT的結構如圖6所示。這種結構使IGBT既有MOSFET可以獲得較大直流電流的優點，又具有雙極型晶體管較大電流處理能力、高阻塞電壓的優點。這種器件可以連接在開關電路中，就像NPN型的雙極型晶體管，兩者顯著的區別在于IGBT不需要通過門極電流來維持導通。