絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:29
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、晶體管輸出的特點(diǎn) 晶體管輸出又稱為雙極性晶體管輸出（Bipolar Transistor Output），使用PNP或NPN型雙極晶體管作為控制元件。在控制電壓作用下，通過電流調(diào)節(jié)控制晶體管的放大倍數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)輸出的開關(guān)控制。 1、優(yōu)點(diǎn)： （1）高速：晶體管
2023-08-25 15:41:31416 今天給大家分享的是：IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)
2023-08-25 09:39:18687 
“晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。
2023-07-07 10:14:49993 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣柵型
2023-05-20 15:19:12463 
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，翻譯為絕緣柵雙極晶體管，是一種高性能功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有MOSFET輸入電阻低、雙極晶體管輸出電流大的特點(diǎn)，是目前常用的高壓、大電流開關(guān)器件之一。
2023-02-28 18:12:261615 
PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:15
0 PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:49866 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。
2022-12-20 10:38:112431 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:26957 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N120GPED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:57:050 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED規(guī)格書免費(fèi)下載。
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2022-12-02 10:53:130 N溝絕緣柵雙極晶體管JT020N065SED/CED/WED/FED規(guī)格書
2022-12-02 10:51:470 N溝絕緣柵雙極晶體管JT015N065FED規(guī)格書免費(fèi)下載。
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2022-12-02 10:49:360 N溝絕緣柵雙極晶體管JT05N065RED/VED/SED/FED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:48:050 一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結(jié)型晶體管，其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型;
2022-10-25 09:06:396381 雙極晶體管（BJT）是最基礎(chǔ)的集成電路器件之一，在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因?yàn)檫@種晶體管工作時，電子和空穴兩種載流子均參與導(dǎo)電，所以被稱為雙極性結(jié)型晶體管，簡稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:161855 根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。
2022-08-23 09:37:211774 供應(yīng)igbt絕緣柵雙極晶體管SGTP75V65SDB1P7，提供SGTP75V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 14:04:590 在設(shè)計或修理電子設(shè)備時，有時真的需要尋找雙極晶體管（BJT）的替代品。在查閱這些BJT數(shù)據(jù)手冊里的諸多參數(shù)時，你或許會感到不知從何下手。在尋找合適的BJT替代品時，有必要理解并考慮一些相關(guān)重要參數(shù)。在BJT選型時，除了工作溫度和典型應(yīng)用之外，還需要考慮以下一些基本參數(shù)。
2022-05-05 14:41:131510 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是XNS20N60T絕緣柵雙極型晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載。
2021-03-02 14:52:2925 先說個冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。 IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:1510629 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IEC60747-9-2019半導(dǎo)體裝置絕緣柵雙極晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載。
2020-04-17 08:00:00157 輸入電壓下， 功率雙極晶體管總損耗最多降低了42%, 系統(tǒng)效率提高了2.1%. 開關(guān)電源具有功率轉(zhuǎn)換效率高、穩(wěn)壓范圍寬、功率體積比高、重量輕等特點(diǎn)。
2019-09-15 04:36:001552 
目前，產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計制造技術(shù)，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國際領(lǐng)先研發(fā)
2018-04-24 16:12:5110 本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1422049 
絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
2017-11-29 15:39:2114706 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保護(hù)以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成的損壞和故障，這些保護(hù)是確保如電機(jī)驅(qū)動以及
2017-09-12 11:00:4018 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及不間斷電源 （UPS） 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001200 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:19941 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:541743 雙極晶體管屬于電流控制器件，即加入變動的基極電流，產(chǎn)生集電極電流的變動。
2011-03-03 11:40:34150 雙極結(jié)型晶體管/絕緣柵場效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集:第二章 PN結(jié)填空題1、若某硅突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613 絕緣柵場效應(yīng)晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531409 
絕緣柵場效應(yīng)晶體管“放電式”長延時電路圖
2010-03-30 14:44:541538 
晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:225584 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層.根據(jù)國際電工委員會IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:223985 聯(lián)柵晶體管(GAT)是什么意思?
聯(lián)柵晶體管是一種新型功率開關(guān)半導(dǎo)體器件，簡稱GAT。GAT是介于雙極型晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)之間的特種器
2010-03-05 14:35:242466 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465735 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的資料大全
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體
2010-03-05 11:46:077395 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:028718 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554610 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154870 IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護(hù)電路
IGBT的柵極過壓的
2010-02-17 17:13:011689 
晶體管的極限參數(shù)
以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過額定值時，
2010-01-26 08:54:036437
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2009-12-10 14:24:311224
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021301 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有
2009-11-05 11:40:14570 絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001192 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:395260 
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