有Ge、Si、Ⅲ-V化合物半導體等材料制成的工作在微波波段的二極管、晶體管稱為微波器件。

　　微波器件按其工作原理和所用材料、工藝不同，又可分為微波電真空器件、微波半導體器件、微波集成電路（固態器件）和微波功率模塊。微波電真空器件包括速調管、行波管、磁控管、返波管、回旋管、虛陰極振蕩器等，利用電子在真空中運動及與外圍電路相互作用產生振蕩、放大、混頻等各種功能。微波半導體器件包括微波晶體管和微波二極管，具有體積小、重量輕、可*性好、耗電省等優點，但在高頻、大功率情況下，不能完全取代電真空器件。微波集成電路是將具有微波功能的電路用半導體工藝制作在砷化鎵或其他半導體材料芯片上，形成功能塊，在固態相控陣雷達、電子對抗設備、導彈電子設備、微波通信系統和超高速計算機中，有著廣闊的應用前景。

　　微波功率器件材料是什么

　　微波功率器件材料主要有硅、鋁、鐵氧體、氧化鋯、氧化鋁、氧化錫、氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鎢等。這些材料具有良好的熱穩定性、耐腐蝕性、耐磨性、耐高溫性、耐低溫性、耐電磁干擾性等特點，可以滿足微波功率器件的要求。

　　微波半導體器件在微波系統中能發揮各方面性能，歸納起來，即在微波功率產生及放大，控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率增益。 進入20世紀90年代后，由于MOCVD（金屬有機化學氣相淀積）和MBE（分子束外延）技術的發展，以及化合物材料和異質結工藝的日趨成熟，三端微波器件取得令人矚目的成就，使得MESFET（肖特基勢壘場效應晶體管）、HBT（異質結雙極型晶體管）以及HEMT（高電子遷移率晶體管）結構的各種器件性能逐年提高，與此同時，在此基礎上構成的MMIC（單片集成電路）已實用化，并進人商品化階段，使用頻率基本覆蓋整個微波波段，不僅能獲得大功率、高效率而且噪聲系數小。

　　微波器件已廣泛應用于微波通訊系統、遙測系統、雷達、導航、生物醫學、電子對抗、人造衛星、宇宙飛船等各個領域。隨著微波半導體器件工作頻率的進一步提高，功率容量的增大，噪聲的降低以及效率和可靠性的提高，特別是集成化的實現，將使微波電子系統發生新的變化。

　　微波功率器件材料的特點主要有：

　　1）良好的熱穩定性；

　　2）耐腐蝕性；

　　3）耐磨性；

　　4）耐高溫性；

　　5）耐低溫性；

　　6）耐電磁干擾性。

　　這些材料具有良好的熱穩定性、耐腐蝕性、耐磨性、耐高溫性、耐低溫性、耐電磁干擾性等特點，可以滿足微波功率器件的要求。