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      鴻之微

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      基于鴻之微RESCU程序包的第一原理方法

      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? · 0 1?引言 ? 富鋰錳基三元材料是一種很有....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-02 14:54 ?758次閱讀
      基于鴻之微RESCU程序包的第一原理方法

      基于Cr2C的面內(nèi)雙勢壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

      然而，關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報道很少。已報道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 06-01 16:47 ?1434次閱讀
      基于Cr2C的面內(nèi)雙勢壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

      不同BCC金屬和合金中的幾種不常見的孿晶動力學(xué)

      體心立方（BCC）金屬具有不穩(wěn)定的本征堆垛層錯和對形變孿晶的高抵抗力，常引發(fā)復(fù)雜的孿晶動力學(xué)，這在經(jīng)....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-31 09:38 ?2569次閱讀
      不同BCC金屬和合金中的幾種不常見的孿晶動力學(xué)

      BN-STO和BN-XTO的發(fā)光量子效率不同的本質(zhì)原因

      0 1?引言?? 本項目研究對象為兩個多重共振型綠光有機電致發(fā)光小分子，利用MOMAP軟件計算了它們....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 10:55 ?1278次閱讀
      BN-STO和BN-XTO的發(fā)光量子效率不同的本質(zhì)原因

      DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算

      DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 10:49 ?1075次閱讀
      DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算

      固定電勢在電化學(xué)反應(yīng)中的應(yīng)用

      在電化學(xué)界面反應(yīng)過程中，由于電化學(xué)反應(yīng)界面通常與恒定電極電勢的外電極相連，為確保電子的化學(xué)勢與外電極....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-26 09:44 ?2383次閱讀
      固定電勢在電化學(xué)反應(yīng)中的應(yīng)用

      基于密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法

      本文使用鴻之微DS-PAW軟件并結(jié)合Nanodcal軟件研究鋸齒型石墨烯/氮化硼納米帶范德瓦爾斯異質(zhì)....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-25 10:02 ?1288次閱讀
      基于密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法

      GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算（上）

      DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-25 09:17 ?1597次閱讀
      GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算（上）

      BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

      ?2022年，集成電路半導(dǎo)體行業(yè)最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖，成為行業(yè)發(fā)展的....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 11:06 ?2837次閱讀
      BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

      探究BSIM4模型

      在BSIM3的基礎(chǔ)上，UC Berkley的BSIM小組緊接著又推出了BSIM4模型。
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 11:01 ?4861次閱讀
      探究BSIM4模型

      DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

      針對任一半導(dǎo)體，DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì)：熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-24 10:15 ?868次閱讀
      DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

      有機半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系

      有機半導(dǎo)體材料可廣泛應(yīng)用于OLED、OPVC或OFET中，為開發(fā)具有優(yōu)異光電性能的新型有機半導(dǎo)體材料....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 14:17 ?2359次閱讀
      有機半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系

      雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

      DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 14:11 ?834次閱讀
      雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

      催化劑分離和循環(huán)利用問題

      ? 烯烴是現(xiàn)代化工生產(chǎn)高附加值化學(xué)品的重要原料。生產(chǎn)烯烴最直接的方法就是通過烷烴直接脫氫生成烯烴。在....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-23 11:33 ?1116次閱讀
      催化劑分離和循環(huán)利用問題

      NTO表面和分子空位對其熱反應(yīng)動力學(xué)的影響

      在我們的工作中，基于自洽電荷密度泛函緊束縛(SCC-DFTB)的分子動力學(xué)模擬，研究了NTO晶體的熱....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 15:45 ?3112次閱讀
      NTO表面和分子空位對其熱反應(yīng)動力學(xué)的影響

      ZnGeP2的本征缺陷計算之TSC模塊運行流程

      TSC模塊將使用與 Materials Project 數(shù)據(jù)庫提供的輸入?yún)?shù)（INCAR，KPOIN....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:35 ?895次閱讀
      ZnGeP2的本征缺陷計算之TSC模塊運行流程

      ZnGeP2的本征缺陷計算之DEC模塊運行流程

      確認TSC模塊完成后，回到ZnGeP2目錄，使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會在第....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:32 ?895次閱讀
      ZnGeP2的本征缺陷計算之DEC模塊運行流程

      ZnGeP2的本征缺陷計算之PREPARE模塊運行流程

      新建目錄ZnGeP2，在./ZnGeP2/目錄內(nèi)同時準(zhǔn)備好以上的POSCAR文件與 dasp.in ....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:29 ?733次閱讀
      ZnGeP2的本征缺陷計算之PREPARE模塊運行流程

      ZnGeP2的本征缺陷計算之準(zhǔn)PREPARE

      ZnGeP2是一種非線性光學(xué)材料，但是其帶隙內(nèi)存在的較多光吸收峰限制了其應(yīng)用，實驗上認為這些吸收與點....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-19 10:25 ?774次閱讀
      ZnGeP2的本征缺陷計算之準(zhǔn)PREPARE

      基于DASP ZnGeP2的本征缺陷計算

      針對任一半導(dǎo)體，DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì)：熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 17:22 ?939次閱讀
      基于DASP ZnGeP2的本征缺陷計算

      華中科大《Acta Materialia》：首次報道低于2K的巨介電弛豫行為

      不同的摻雜體系表現(xiàn)出不同的巨介電弛豫行為和缺陷偶極冷凍溫度Tf（如圖1所示），對應(yīng)于不同的電子釘扎狀....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 11:05 ?1156次閱讀
      華中科大《Acta Materialia》：首次報道低于2K的巨介電弛豫行為

      金屬氧化物巨介電材料低于2K的缺陷偶極冷凍溫度Tf及非常規(guī)TADR行為

      多層陶瓷電容器（MLCC）核心原料采用的主要是鈦酸鋇基鐵電體，由于存在靠近室溫的鐵電相變，使其介電常....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:51 ?652次閱讀
      金屬氧化物巨介電材料低于2K的缺陷偶極冷凍溫度Tf及非常規(guī)TADR行為

      DASP雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

      針對任一半導(dǎo)體，DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì)：熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:39 ?815次閱讀
      DASP雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

      雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測（Cs2AgBiCl6 02）

      TSC模塊將使用 Materials Project 數(shù)據(jù)庫提供的輸入?yún)?shù)（INCAR，KPOINT....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:38 ?1053次閱讀
      雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測（Cs2AgBiCl6 02）

      結(jié)構(gòu)設(shè)計策略用于二元金屬硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

      利用鴻之微Device Studio中的DS-PAW通過第一性原理計算對基于rGO媒介載體上構(gòu)建的N....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-16 10:35 ?1184次閱讀
      結(jié)構(gòu)設(shè)計策略用于二元金屬硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

      雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測（Cs2AgBiCl6 01）

      在以上的案例中，我們展示了TSC模塊可以計算元素化學(xué)勢，用于DEC模塊的缺陷形成能計算。此外，TSC....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-12 09:52 ?1170次閱讀
      雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測（Cs2AgBiCl6 01）

      面外變形對二維納米材料電子結(jié)構(gòu)的影響機制研究

      本項目采用基于密度密度泛函理論的第一性原理計算，對石墨烯中的“零維”面外變形效應(yīng)進行了深入探究。首先....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-12 09:45 ?1001次閱讀
      面外變形對二維納米材料電子結(jié)構(gòu)的影響機制研究

      ZnGeP2的本征缺陷計算（非輻射俘獲系數(shù)計算CDC）

      針對任一半導(dǎo)體，DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì)：熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 05-11 16:37 ?1241次閱讀
      ZnGeP2的本征缺陷計算（非輻射俘獲系數(shù)計算CDC）

      高熵合金溫度相關(guān)變形行為的本構(gòu)建模和性能調(diào)控

      針對上述問題，西南交通大學(xué)康國政教授團隊建立了考慮溫度效應(yīng)和晶粒尺寸效應(yīng)的多物理機制晶體塑性本構(gòu)模型....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 04-27 11:02 ?1167次閱讀
      高熵合金溫度相關(guān)變形行為的本構(gòu)建模和性能調(diào)控

      H摻雜Ga2O3的缺陷計算（缺陷形成能和轉(zhuǎn)變能級計算DEC）

      在上一步使用命令 dasp 2 執(zhí)行TSC模塊時，會生成doping-Ga2O3/tsc目錄，并在該....
      的頭像 鴻之微 發(fā)表于 04-27 10:47 ?2928次閱讀
      H摻雜Ga2O3的缺陷計算（缺陷形成能和轉(zhuǎn)變能級計算DEC）