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行家說三代半

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繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
的頭像 行家說三代半 發表于 10-25 18:28 ?1097次閱讀
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淺析SiC MOS新技術:溝道電阻可降85%

我們知道,SiC MOSFET現階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發的導通電阻和閾值電壓等問題,最....
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近10億元!國內將增2個SiC相關項目

據“行家說三代半”此前報道,6月26日,志橙半導體創業板IPO申請獲受理,該公司將公開發行新股數量不....
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4.5億訂單!這3家SiC企業聯手

譜析光晶于2020年創立,今年7月,譜析光晶完成了Pre-B輪融資,資金主要用于進一步完善公司碳化硅....
的頭像 行家說三代半 發表于 09-27 15:41 ?978次閱讀
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SiC二極管價格很卷?這家公司找到對策

最近,“行家說三代半”發現,通用電氣研究所(GE Research)發布文獻稱,他們已經制造出擊穿電....
的頭像 行家說三代半 發表于 09-18 17:10 ?894次閱讀
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16家SiC企業公布成績單,上半年誰更賺錢?

報告期內,天岳先進高品質SiC襯底獲得國際客戶的認可。今年5月,天岳先進與英飛凌簽訂了合作協議,8月....
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國產光伏又用GaN,未來產能100萬套

Transphorm在公告中表示,他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產品線,GaN器....
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國產SiC MOS又添新軍,性能媲美國際大廠

據介紹,他們的新一代產品是基于6英寸晶圓平臺進行開發,主要有4款新產品(K3M040120-R、K3....
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追加400億!英飛凌又要擴產了!

據“行家說三代半”此前報道,2022年2月,英飛凌宣布將投資超過20億歐元(合計約144億人民幣)擴....
的頭像 行家說三代半 發表于 08-04 14:59 ?932次閱讀

超8億元!氮化鎵行業新增了4個項目

近日,氮化鎵行業新增了4個項目,涉及單晶襯底、器件等環節。
的頭像 行家說三代半 發表于 07-24 10:35 ?1538次閱讀
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8吋SiC外延設備首次亮相 已經完成首輪工藝驗證

在SEMICON China 2023上海展上,中國電科集團攜集成電路、第三代半導體、半導體顯示、光....
的頭像 行家說三代半 發表于 07-24 10:29 ?1447次閱讀

羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅動器

通常GaN Hemt驅動存在2個難題:驅動電壓低,容易誤啟動;柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專....
的頭像 行家說三代半 發表于 07-23 15:08 ?988次閱讀
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越是內卷越需要碳化硅!美的逆勢增長20%案例研究

俗話說,風浪越大魚越貴,越是內卷越需要碳化硅。
的頭像 行家說三代半 發表于 07-21 11:21 ?1367次閱讀
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儲能采用GaN即將量產

6月16日,蜂巢能源稱,他們首次發布了戶儲領域的核心創新產品——超薄戶儲逆變器。值得一提的是,該產品....
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破解SiC MOS難題,新技術減少50%碳殘留

近日,韓國企業EQ TechPlus宣布,他們開發了一種下一代氧化膜沉積設備,用于大規模生產SiC功....
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重磅!國產SiC襯底激光剝離實現新突破

以砂漿線切割為例,多達40%的碳化硅晶錠以粉塵的形式浪費掉,而且切割線的高速行走過程還會造成20~5....
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液相法、3C-SiC!中科院又取得新成果

該團隊開發了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設備,其生長過程是這樣的:首先,在高溫石墨坩堝區域....
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8吋!SiC行業又增5個“玩家”

根據《2022碳化硅(SiC)產業調研白皮書》,目前全球已有超14家企業在8吋碳化硅襯底方面實現突破....
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首款氮化鎵光伏逆變器,額定輸出功率高達2800W

資料顯示,BENY BYM2800微型逆變器額定輸出功率為2800W,峰值效率為97.5%(歐洲效率....
的頭像 行家說三代半 發表于 12-20 15:53 ?4252次閱讀

遼寧將建第三代半導體材料項目

新瑞半導體成立于2022年8月,是中民實業和嘉實晶體(也成立于2022年8月)的合資公司,中民實業成....
的頭像 行家說三代半 發表于 11-17 09:49 ?1763次閱讀

中電化合物總投資10.5億元建設的寬禁帶半導體材料項目

根據公告,中電化合物將分二期建設該項目:一期計劃投資2.2億元,租用杭州灣數字產業園1萬平方米廠房,....
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現代SiC逆變器:無需OBC實現高速雙向充電

此外,取消OBC后,通過控制內置雙向充電器的集成充電控制單元 (ICCU) 和車輛充電管理系統,現代....
的頭像 行家說三代半 發表于 07-13 14:53 ?2582次閱讀

SmartSiC的制作步驟及技術細節

前段時間,Soitec宣布8英寸SiC量產,而且還投資23億建線(。點這里。),更為關鍵的是他們號稱....
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新開發了一種GaN襯底減薄技術——激光減薄技術

而此次他們通過實驗證明,該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造,即在器件制造之后采用....
的頭像 行家說三代半 發表于 05-12 10:45 ?5193次閱讀