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      三菱電機半導體

      文章：72 被閱讀：9.6w 粉絲數：11 關注數：0 點贊數：1

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      SiC MOSFET模塊并聯應用中的動態均流問題

      在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯時，受器件參數、寄生參數等因素影響，會出現動態電流....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 05-30 14:33 ?803次閱讀
      SiC MOSFET模塊并聯應用中的動態均流問題

      SiC MOSFET并聯運行實現靜態均流的基本要求和注意事項

      通過并聯SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統的要求。本章節主要介紹了....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 05-23 10:52 ?429次閱讀
      SiC MOSFET并聯運行實現靜態均流的基本要求和注意事項

      三菱電機與上海共繪半導體產業宏圖

      量子科技、具身智能、6G等未來產業，都依賴半導體技術的支撐，頭部半導體企業擁有長期高增長前景。三菱電....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 05-16 10:20 ?342次閱讀

      SiC MOSFET驅動電路設計的關鍵點

      柵極驅動器是確保SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 05-06 15:54 ?473次閱讀
      SiC MOSFET驅動電路設計的關鍵點

      SiC MOSFET驅動電路設計注意事項

      柵極驅動器是保證SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 04-24 17:00 ?712次閱讀
      SiC MOSFET驅動電路設計注意事項

      三菱電機開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

      三菱電機集團今日宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 04-16 14:58 ?354次閱讀
      三菱電機開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

      三菱電機發布新型XB系列HVIGBT模塊

      三菱電機集團近日宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 04-10 11:34 ?364次閱讀

      三菱電機再度榮獲海爾智家“質量引領獎”

      近日，在“智慧新生態，共贏新時代”2025海爾智家全球供應商合作伙伴大會上，三菱電機憑借為其變頻空調....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 04-02 11:24 ?421次閱讀

      SiC MOSFET的動態特性

      本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 03-26 16:52 ?753次閱讀
      SiC MOSFET的動態特性

      SiC MOSFET的靜態特性

      商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 03-12 15:53 ?704次閱讀
      SiC MOSFET的靜態特性

      SiC SBD的靜態特性和動態特性

      SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 02-26 15:07 ?581次閱讀
      SiC SBD的靜態特性和動態特性

      三菱電機高壓SiC模塊封裝技術解析

      SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持17....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 02-12 11:26 ?505次閱讀
      三菱電機高壓SiC模塊封裝技術解析

      三菱電機工業用NX封裝全SiC功率模塊解析

      三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 01-22 10:58 ?2296次閱讀
      三菱電機工業用NX封裝全SiC功率模塊解析

      三菱電機開始提供工業用第8代IGBT模塊樣品

      三菱電機株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 01-17 09:36 ?468次閱讀

      三菱電機超小型全SiC DIPIPM解析

      在Si-IGBT的DIPIPM基礎上，三菱電機開發了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 01-08 13:48 ?1484次閱讀
      三菱電機超小型全SiC DIPIPM解析

      三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

      三菱電機集團近日宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 12-25 15:59 ?630次閱讀
      三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

      一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術

      三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 12-18 17:35 ?1226次閱讀
      一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術

      三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

      1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 12-04 10:50 ?1609次閱讀
      三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

      三菱電機將新建功率半導體模塊封裝與測試工廠

      三菱電機集團近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設一座新的功率半導體模塊封....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-20 17:57 ?1134次閱讀

      一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

      柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-20 17:38 ?871次閱讀
      一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

      三菱電機提供200Gbps PIN-PD芯片樣品

      三菱電機集團近日宣布提供用于下一代光收發器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 15:06 ?789次閱讀
      三菱電機提供200Gbps PIN-PD芯片樣品

      三菱電機供應12英寸功率半導體芯片

      三菱電機集團近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 15:03 ?689次閱讀

      深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

      本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:59 ?1641次閱讀
      深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

      深度了解SiC的晶體結構

      SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:57 ?3234次閱讀
      深度了解SiC的晶體結構

      深度了解SiC材料的物理特性

      與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:55 ?1962次閱讀
      深度了解SiC材料的物理特性

      一文詳解SiC的晶體缺陷

      SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:53 ?1904次閱讀
      一文詳解SiC的晶體缺陷

      一文詳解SiC單晶生長技術

      高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:51 ?1512次閱讀
      一文詳解SiC單晶生長技術

      SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

      SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:49 ?1105次閱讀
      SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

      SiC外延生長技術的生產過程及注意事項

      SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:46 ?1243次閱讀
      SiC外延生長技術的生產過程及注意事項

      三菱電機提供SiC MOSFET裸片樣品

      近日，三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）....
      的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:43 ?1517次閱讀