SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題
在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí)，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流....
SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)
通過(guò)并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了....
三菱電機(jī)與上海共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宏圖
量子科技、具身智能、6G等未來(lái)產(chǎn)業(yè)，都依賴半導(dǎo)體技術(shù)的支撐，頭部半導(dǎo)體企業(yè)擁有長(zhǎng)期高增長(zhǎng)前景。三菱電....
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)
柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和....
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和....
三菱電機(jī)開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布，將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品....
三菱電機(jī)發(fā)布新型XB系列HVIGBT模塊
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的....
三菱電機(jī)再度榮獲海爾智家“質(zhì)量引領(lǐng)獎(jiǎng)”
近日，在“智慧新生態(tài)，共贏新時(shí)代”2025海爾智家全球供應(yīng)商合作伙伴大會(huì)上，三菱電機(jī)憑借為其變頻空調(diào)....
SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)....
SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚....
SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率....
三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析
SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持17....
三菱電機(jī)工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si....
三菱電機(jī)開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品
三菱電機(jī)株式會(huì)社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣....
一文了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車輛的變流器中，是一家....
三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，....
三菱電機(jī)將新建功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封....
一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝
柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不....
三菱電機(jī)供應(yīng)12英寸功率半導(dǎo)體芯片
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)....
深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8....
深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)
SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的....
深度了解SiC材料的物理特性
與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯，比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其....
一文詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以....
SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)的生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)
SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多....
三菱電機(jī)提供SiC MOSFET裸片樣品
近日，三菱電機(jī)集團(tuán)宣布，將于11月14日開始提供用于電動(dòng)汽車（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）....
工商網(wǎng)監(jiān)