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      GCME-SCD

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      為了將盡可能多的分立元器件集成到IPM封裝中，我們采用了將IGBT和FWD集成為單個芯片中的RC-I....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 10-27 11:29 ?5247次閱讀

      2018三菱電機功率模塊技術研討會順利落幕

      從晶圓制造到模塊生產，從低壓到高壓，山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評。他介紹到，與傳統S....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 10-19 16:20 ?4855次閱讀

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      6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內部采用半橋拓撲，一般的大功率應用可以采用并聯連接來提高....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 09-13 15:04 ?5993次閱讀

      谷歌無人車入華，無人車發展史介紹

      三菱電機株式會社將于9月20日起，開始提供工業用彩色TFT液晶模塊新產品7.0寸WXGA的樣品，此次....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 08-27 18:51 ?8415次閱讀

      高分辨率WXGA新品，彩色TFT液晶模塊

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      的頭像 GCME-SCD 發表于 08-27 18:51 ?4478次閱讀

      GTO的基本結構和基本工作原理是什么？詳細概述

      GTO是一種電流控制型的自關斷雙極型器件。跟全控器件BJT一樣，當門極（對晶體管稱基極）引入正向電流....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 08-12 11:34 ?46155次閱讀
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      晶閘管在阻斷狀態和導通狀態的工作原理詳細概述

      晶閘管的基本工作原理體現在阻態、通態以及阻態和通態之間的轉換。
      的頭像 GCME-SCD 發表于 07-15 10:49 ?20476次閱讀
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      三菱電機SiC功率模塊的發展里程碑

      2015年4月，Bodo’s Power上報道了三菱電機1款800 A/1200 V的全SiC 2i....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 05-26 10:38 ?12594次閱讀
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      晶閘管的基本結構知識詳解

      晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重摻雜的P+和N+層，與門極相連的重摻....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 05-23 08:38 ?13349次閱讀
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      三菱觸摸屏工業用彩色TFT液晶模塊詳解

      三菱電機株式會社于2月28日開始提供搭載投射式電容觸摸屏的8.0寸WVGA和12.1寸XGA/WXG....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 04-04 16:27 ?7893次閱讀
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      雙極晶體管的工作原理

      從PN結分析知道，基射極電壓UBE決定了發射結的注入水平，即調節了集電區的電流。當撤掉基極驅動，即撤....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 03-24 11:46 ?38768次閱讀
      雙極晶體管的工作原理

      高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預估模型

      在一些電力電子應用場合，不僅需要高壓IGBT模塊有優異的性能，還需要具有相當高的可靠性；為了滿足實際....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 03-13 16:34 ?12352次閱讀

      雙極晶體管的基本結構

      本文將介紹雙極型晶體管的基本結構。雙極晶體管是雙極型結型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導體中，也稱....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 03-05 16:12 ?26226次閱讀
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      三菱電機成功開發6.5kV全SiC功率模塊 實現世界最高功率密度額定輸出功率

      1月31日，三菱電機株式會社宣布已成功開發出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導體模塊，該模塊采用單芯....
      的頭像 GCME-SCD 發表于 02-03 11:52 ?9569次閱讀