金鑒實驗室文章

• 氬離子拋光：揭示材料微觀結構2024-12-25 11:55

  

  氬離子拋光技術概述氬離子拋光技術是一種精密的材料表面處理方法，它通過精細調控氬離子束的深度和強度，實現對樣品表面的拋光，以消除表面損傷并展示材料的微觀結構。這項技術對于多種分析儀器至關重要，包括掃描電子顯微鏡（SEM）、光學顯微鏡和掃描探針顯微鏡等，尤其是在進行EDS、EBSD、CL、EBIC等高級分析時，高質量的樣品表面是確保結果準確性的關鍵。數調整氬離子

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• Rohs 、REACH 、無鹵的區別2024-12-25 11:54

  

  RoHS指令詳解RoHS（限制特定有害物質）是歐盟為降低電子和電氣設備中有害物質含量而實施的一項法規。該指令的主要目的是限制六種有害物質的使用，以減少對環境和人類健康的影響。具體限制物質及其含量標準如下：鉛（Pb）：不得超過0.1%（1000ppm），常見用途包括焊料、玻璃和PVC穩定劑。汞（Hg）：不得超過0.1%（1000ppm），用于溫控器、傳感器等。

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• 紫外(UV)老化測試：7個關鍵問題解析2024-12-24 11:32

  

  紫外線對產品的影響在自然界中，陽光中的紫外線是導致產品光降解和光老化的主要原因。這種無形的輻射不僅對人體健康構成威脅，對產品的損害同樣不容忽視。產品或材料在加工、貯存及使用過程中，會受到光、熱、氧、機械應力、臭氧、有害金屬離子、輻射等多種外界因素的影響，導致產品或材料內部發生物理或化學變化，最終失去其原有的使用價值。太陽光對產品的具體影響紫外線造成的損害類型

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• 帶你一文了解什么是引線鍵合（WireBonding）技術？2024-12-24 11:32

  

  微電子封裝中的引線鍵合技術引線鍵合技術在微電子封裝領域扮演著至關重要的角色，它通過金屬線將半導體芯片與外部電路相連，實現電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達到原子級別的鍵合，這種鍵合是通過電子共享或原子擴散實現的。引線鍵合與封裝技術在集成電路（IC）封裝中，引線鍵合是實現芯片與引線框架（基板）連接的關鍵技術。盡管倒裝焊和載帶自動焊

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• 探索掃描電子顯微鏡下的能譜分析技術（EDX）2024-12-24 11:30

  

  掃描電子顯微鏡（SEM）以其在納米級別解析樣品的能力而聞名，它通過電子束與樣品的交互來收集信息。除了常見的背散射電子（BSE）和二次電子（SE）信號外，SEM還能檢測到其他多種信號，這些信號為研究者提供了樣品的深層信息。本文將深入探討SEM中的能譜（EDX）技術，揭示其工作原理。電子束與樣品的相互作用在SEM的運作過程中，電子束與樣品表面的交互作用產生了一系

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• EBSD失效分析策略2024-12-24 11:29

  

  材料失效分析在材料科學和工程實踐中，失效分析扮演著至關重要的角色，它致力于探究產品或構件在實際使用過程中出現的失效現象。這些現象可能表現為由多種因素引起的斷裂，例如疲勞、應力腐蝕或環境誘導的脆性斷裂等。深入探究這些失效的原因，能夠幫助工程師和科學家有效控制風險，并預防未來的失效事件。金鑒實驗室具備專業的測試設備，能夠為客戶提供材料失效分析，以應對半導體行業帶

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• 離子污染度的測試方法2024-12-24 11:27

  

  離子污染對電子設備的影響電子技術迅猛發展的今天，電子設備的復雜性和集成度不斷攀升，電路板上的元件布局日益緊湊，線路間距縮小，這使得對電路板（PCB/PCBA）的清潔度要求變得更加嚴格。離子污染，作為影響電路板清潔度的關鍵因素，其控制和管理變得尤為關鍵。離子污染可能會引起離子遷移異常，進而導致產品失效，如腐蝕、短路等，據研究，因污染問題導致的電子產品失效率超過

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• FIB：芯片制造中的關鍵檢測工具2024-12-23 17:30

  

  聚焦離子束技術（FIB）在技術日新月異的當代，半導體技術已成為推動科技創新和產業升級的引擎。半導體器件在我們的日常生活中扮演著不可或缺的角色，無論是在通訊設備、交通工具還是醫療儀器中，它們都發揮著核心作用。隨著這些器件尺寸的日益微型化，對它們的精確診斷和修復技術提出了前所未有的挑戰。聚焦離子束技術（FIB）正是在這樣的需求下應運而生，成為解決這些難題的關鍵技

  fib 檢測 芯片制造 821瀏覽量

• AEC-Q101標準下的分立半導體器件認證2024-12-23 17:29

  

  AEC組織概述AEC（AutomotiveElectronicsCouncil）是由美國三大汽車制造商克萊斯勒、福特和通用汽車共同發起成立的組織，成立于1994年。該組織的目標是建立一套全球性的汽車電子部件標準，其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產商和元器件供應商。AECQ101標準簡述AECQ101標準是一套針對汽車用離散半導體元件的可靠性測試和認證標

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• 微焊點金屬間化合物分析：EDS與EBSD技術應用2024-12-23 17:28

  

  隨著半導體行業的迅猛發展，集成電路的設計和制造技術經歷了從簡單的平面二維布局到復雜的三維堆疊結構的重大轉變。這種轉變極大地增強了芯片的性能，并提高了其功能集成度。三維集成電路的實現關鍵在于硅通孔技術（TSV），該技術允許不同層級的芯片實現垂直連接，從而創造出更為精密的芯片架構。隨著焊點尺寸的持續減小，對焊料的選擇和焊接工藝提出了更高的要求，這為半導體行業帶來

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