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諾芯盛科技

諾芯盛科技提供無線充發射+接收方案設計、芯片、PCBA電路板

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動態

  • 發布了文章 2025-07-14 10:13

    超級電容器與鋰離子電池的區別在哪里?

    本文主要討論了超級電容器和鋰離子電池在儲能方面的差異。超級電容器的體積小、容量大,但能量密度低;而鋰離子電池體積大、容量小,但能量密度高。超級電容器的功率密度高,反應速度快,壽命長,但需要適應性更強的環境;而鋰離子電池在低溫下性能下降...
  • 發布了文章 2025-07-14 09:42

    無線充芯片SOP16:小身材,大能量

    本文主要介紹了無線充芯片SOP16的封裝設計、高效能低功耗、廣泛兼容性和技術創新特點。SOP16封裝技術的小巧體積和高效能低功耗特性,使其成為市場上的熱門選擇。此外,無線充芯片SOP16的廣泛兼容性使其能夠輕松融入各種應用場景,推動無...
  • 發布了文章 2025-07-11 17:14

    手機無線充電發熱嗎?

    本文探討了無線充電是否會發熱的問題,通過實測數據分析,無線充電會在20%-30%的轉化率中損耗能量。發熱的幅度與場景有關,且存在技術瓶頸和使用習慣因素。發熱的影響包括電池壽命的辯證關系和加速電池老化。
  • 發布了文章 2025-07-11 16:59

    無線充電發熱問題

    本文探討了無線充電發熱的原因、影響及應對策略。無線充電發熱主要由電磁感應或磁共振等原理導致,表現為設備溫度升高。過熱對設備有潛在影響,如加速電池老化、引發安全隱患等。解決之道包括優化充電環境、合理控制充電功率。
  • 發布了文章 2025-07-09 17:12

    固態電池和超級電容器的區別

    固態電池與超級電容器,通過離子搬運工到電荷倉庫的物理博弈,固態電池實現單位時間內運送的乘客數量和續航里程提升,而超級電容器則追求瞬時吞吐效率。
  • 發布了文章 2025-07-09 16:19

    iPhone13無線充電發熱解析與應對

    iPhone 13無線充電發熱爭議不斷,充電發熱是物理損耗而非安全隱患。系統調度的溫控管理系統自動限制處理器性能、降低屏幕亮度,降低發熱。第三方無線充電器虛假加速影響電路安全,使用非MFi認證充電器引發異常發熱概率高。
  • 發布了文章 2025-07-08 10:05

    法拉電容爆炸原因分析

    法拉電容因其高能量密度和快速充放電特性,成為新能源和儲能領域的明星組件。然而,因其潛在風險——爆炸,引發的安全事故屢見報端。法拉電容短路、設計缺陷、人為失誤是其爆炸誘因。
  • 發布了文章 2025-07-08 09:36

    臺燈無線充電方案設計

    現代科技與家居美學的融合,無線充電臺燈成為桌面生態核心。現代無線充電臺燈采用高頻交流電傳輸電能,與電磁感應原理相比,更高效。杰力科創的DLT8T02S芯片,集成PWM控制器、功率驅動電路和通信協議模塊,穩定輸出充電功率。
  • 發布了文章 2025-07-07 16:08

    法拉電容點焊機優缺點分析

    本文探討了基于超級電容的點焊機。它瞬間釋放數千安培的脈沖電流,為高導電性材料和深熔透場合提供優質的點焊效果。同時,其工作電壓極低,操作安全,能耗高效,特別適合DIY愛好者和小作坊。
  • 發布了文章 2025-07-06 10:03

    法拉電容充電和放電的電路分析

    法拉電容是高科技應用中的關鍵角色,具有高效儲能與快速釋放能量的能力。其充電電路采用恒流或恒壓控制策略,有效控制電荷積累和釋放過程,確保設備獲得穩定的高功率支持。同時,法拉電容的放電電路配備有保護機制,有效防止能量釋放對設備造成損害。

企業信息

認證信息: 諾芯盛科技

聯系人:林龍

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地址:深圳市龍華區大浪街道華輝路同勝科技大廈A座1007

公司介紹:諾芯盛科技是一家專業致力于消費類電子,無線充電產品IC芯片研發及電路模塊應用設計的技術型方案公司。公司成立于2022年,通過多年以來的發展,公司已在無線充電領域-涵括發射端+接收端應用,公司擁有國內尖端產品線芯片資源,匯集和培養了一批經驗豐富,設計能力超強的工程技術人員,公司先后成立了DC電源事業部,功率器件事業部,可提供無線充電(發射+接收)方案設計和PCBA模組及DC-DC升降壓芯片、電池充電管理IC、MOS管、IGBT、MOS驅動芯片、超級/法拉電容器、LED去紋波/頻閃ic。  【公司產品渠道】:INJOINIC英集芯(無線充TX、充電IC),NuVolta伏達(無線充RX),COPO酷珀微(無線充RX),Vergiga威兆(MOS/IGBT),WINSOK微碩(MOS),FM富滿(充電管理ic),金譽/迪浦(二三極管、充電管理ic),Si-Power硅動力(DC-DC降壓芯片),Zk中科(MOS/IGBT驅動芯片 N531、N532),MAXIC美芯晟(去頻閃ic),JGNE山東精工(超級/法拉電容)。

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