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仁懋電子

創始于2011年,國家級專精特新企業,主營產品:肖特基?極管、三極管、低中?壓MOS、快恢復?極管、低壓降肖特基、IGBT等。

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動態

  • 發布了文章 2025-04-17 14:17

    告別燒MOS!仁懋大功率水泵電機控制選型指南

    在極端天氣頻發的當下,灌溉水泵已成為農田保收的生命線。然而,行業調研數據顯示:27%的灌溉系統故障源于MOS管過熱燒毀或浪涌擊穿,傳統器件在惡劣情況下暴露三大短板:高溫降容:環境溫度>45℃時,MOS電流承載能力驟降40%;水汽腐蝕:濕度>80%環境下,鍵合線銹蝕導致導通電阻(RDS(on))年漂移超15%;外部影響:外部環境復雜,對器件抗震動要求高,容易引
  • 發布了文章 2025-04-10 09:45

    突破100lm/W的幕后英雄!揭秘高光效LED的電源心臟

    當LED光效突破100lm/W,全球照明產業迎來高光時刻。然而,支撐這束光芒的電源系統卻暗流涌動——23%的LED燈具失效源于MOS管過熱或電壓擊穿,在礦井、化工等極端場景,這一數字更飆升至58%。仁懋電子推出AC-DC專用MOS矩陣,以“超低損耗、極致安全”重塑LED電源可靠性標準。行業痛點:光效背后的電源危機熱失控困局:傳統MOS高熱阻,影響50W燈具溫
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  • 發布了文章 2025-04-02 14:22

    仁懋MOS產品在電動叉車上的應用

    隨著電動叉車向高效化、輕量化、長續航方向發展,功率半導體器件的選擇對系統性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導通電阻(RDS(on))、高功率密度、優異的熱性能以及緊湊的封裝尺寸,成為電動叉車電力電子系統的理想選擇。仁懋電子深耕動力器件領域,推出MOT7130T4、MOT1113T4、MOT7136T等專用MOS產品,以“超低損耗、極致可靠”
  • 發布了文章 2025-03-21 17:35

    算力革命背后的隱形力量:仁懋MOSFET如何讓服務器電源效率狂飆?

    算力時代的高壓挑戰隨著AI大模型訓練集群規模突破10萬卡,單機柜功率密度已飆升至30kW,傳統服務器電源的MOSFET面臨極限考驗——1%的效率差距意味著單數據中心年損耗超5000萬度電。仁懋電子專為高壓直流場景打造的MOT12N65T/MOT35N65T,以“高頻高效、極寒散熱”重新定義服務器電源MOS選型標準。技術破局:三重復合戰力1.導通損耗碾壓式領先
  • 發布了文章 2025-03-14 16:52

    吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術重塑吸塵器動力

    吸塵器動力系統的“高溫圍城”在無線吸塵器滲透率超60%的今天,電機驅動MOS過熱降速卻成為用戶體驗的致命傷——行業測試數據顯示,80%的高端吸塵器在連續工作8分鐘后觸發MOS溫控保護,吸力衰減超25%。傳統封裝器件在高速無刷電機場景下面臨三重枷鎖:-電流暴力沖擊:電機啟動瞬間電流超150A,鍵合線熔斷風險激增;-散熱空間困局:MOS占PCB面積超20%,制約
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  • 發布了文章 2025-03-06 17:55

    MOS高溫挑戰終結者?仁懋三款MOS器件引爆主機能效革命

    高性能主機的“供電生死局”隨著RTX40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W,傳統MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰。某硬件論壇調研顯示,27%的藍屏/死機故障源于供電模塊MOS過熱或瞬態響應失效。在機箱空間緊縮與散熱壓力倍增的當下,以下難題尤為突出:-高溫枷鎖:MOS溫升>100℃觸發降頻,導致CPU/GPU性能折損高達15%;-瞬態響應危機:顯卡瞬間
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  • 發布了文章 2025-02-28 15:44

    自研體二極管技術如何改寫戶儲MOS游戲規則?

    戶儲行業痛點:PFC電路的“沉默殺手”在家庭儲能系統普及率突破18%的今天,PFC(功率因數校正)電路MOS失效卻成為行業隱形痛點——某第三方檢測機構數據顯示,32%的戶儲設備故障源于MOS溫升超標或體二極管反向恢復失效。傳統MOS器件在戶用場景下面臨雙重暴擊:*開關損耗困局:Qg與Coss失衡導致驅動延遲,20kHz工況下損耗激增40%;*體二極管“反殺”
    364瀏覽量
  • 發布了文章 2025-02-20 17:43

    仁懋TOLL產品為無人機動力鏈打造高可靠解決方案

    【行業痛點:無人機動力系統的“高空生死局”】在物流配送、農業植保等無人機應用場景爆發式增長的今天,動力系統的可靠性直接關乎商業價值——據行業統計,35%的炸機事故源自電調MOS器件失效。傳統封裝器件在極端工況下面臨三重挑戰:*電流過載危機:起飛瞬間200A以上浪涌電流導致鍵合線熔斷;*熱失控魔咒:封閉空間內溫升>80℃引發MOS性能雪崩;*體積重量枷鎖:電調
  • 發布了文章 2025-02-14 17:42

    從熱失控到效率飛躍——仁懋三款MOS器件重塑儲能電源設計

    在戶外電源、移動儲能箱等便攜式設備爆發式增長的背后,工程師們正面臨嚴峻挑戰:“高功率密度、低溫升、長壽命”的“不可能三角”。傳統封裝MOS器件受限于結構設計,應用在儲能應用時,普遍存在三大致命傷:1.過流瓶頸:鍵合線數量不足導致動態電流超限時燒毀;2.散熱受限:熱阻(Rthja)>50℃/W,80%負載下溫升超40℃;3.體積束縛:封裝尺寸擠占PCB空間,制
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  • 發布了文章 2025-02-08 17:06

    國產功率器件突圍戰:仁懋電子TOLL封裝如何改寫行業格局?

    在新能源汽車、光伏儲能等萬億級賽道爆發的當下,國產功率器件的"卡脖子"困境正被打破。作為國內半導體功率器件領域的標桿企業,仁懋電子憑借其TOLL(TO-Leadless)封裝系列產品的創新突破,不僅撕開了長期被國際巨頭壟斷的高端市場缺口,更以"硬核技術+精準適配"的組合拳,成為國產替代浪潮中的領跑者。技術突圍:TOLL封裝的三重進化密碼在800V高壓平臺、高

企業信息

認證信息: 仁懋電子

聯系人:楊小姐

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地址:羅湖區桂園街道深城投中心19樓

公司介紹:?東仁懋電?有限公司創始于2011年,是國內知名的半導體封裝測試?新技術企業,國家級專精特新企業“?巨?”企業,致?于為全球電?制造企業提供優質半導體元器件產品。發展?今,仁懋電?擁有兩??產基地:珠三?深圳?及?三?江蘇鹽城,建筑?積為40000平??,?前封裝測試?間?積為20000平?,主要封裝形式為SOT、TO系列、PDFN產品封裝。隨著公司的投?和?藝技術不斷優化,品質穩步提升,先后與業界知名企業建?戰略合作關系,已發展成為全國頗具競爭?的功率器件封測企業。 仁懋電??前公司員?總共500余?,其中研發?員100余?。公司成?以來即專注于MOSFET、IGBT等半導體芯?和功率器件的研發、設計及銷售,產品優質且系列?全,涵蓋了主流的集成電路的系統應?。主營產品:肖特基?極管、三極管、低中?壓MOS、快恢復?極管、低壓降肖特基、IGBT等,?泛應?于消費電?、汽?電?、?業電?、新能源汽?及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領域。 仁懋電?堅持?主研發制造,打破國外技術壁壘,助推碳化硅汽?芯?的國產化,?前,公司已申請/獲得專利近百余項,形成?體的知識產權保護體系,創??主品牌MOT,同時引進國際?流的?端設備,?動化程度?,保證了產品的穩定性,半導體器件封裝和測試?產線具世界先進?平,為現代化??產提供了堅實基礎。 仁懋電??聚?才,以院?、博?等?業領軍?才為核?,將進?步依托技術、品牌、渠道等綜合優勢,開拓國際先進功率器件封裝制造技術,全?推進?端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研發與產業化,持續布局半導體功率器件先進前沿的技術領域,提升公司核?產品競爭?和市場地位,深化產品的全?國產化,開拓創新,提供?質量產品,為我們的客?開發節能可持續的解決?案。仁懋電?建?了?效的供應鏈管理流程,每年的出貨量均能超過百億只,滿?了市場以及客?的嚴苛要求。

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