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• 發布了產品 2022-05-24 09:16

  CG2H40045P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40045P 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益

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• 發布了產品 2022-05-23 22:03

  C3M0032120D是一款功率轉換器

  

  產品型號：C3M0032120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:57

  C3M0032120J1碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0032120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:51

  C2M0025120D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C2M0025120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:43

  C3M0021120K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0021120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:30

  C3M0021120D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0021120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:24

  C3M0016120K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0016120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:15

  C3M0016120D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0016120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:05

  C3M0120100K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 20:57

  C3M0120100J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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