動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-27 18:44
C2M0045170P碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C2M0045170P 漏源電壓：1700V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-10/+25V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-5/+20V573瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-27 18:39
C2M1000170D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C2M1000170D 漏源電壓：1700V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+201k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:44
C3M0350120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0350120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V222瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:36
C3M0350120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0350120J 漏源電壓:：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V199瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:23
C2M0280120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C2M0280120D 漏源電壓:：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20576瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:16
C2M0160120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C2M0160120D 漏源電壓：1200 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20839瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:08
C3M0160120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0160120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài):：-4/+15V418瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:57
CGH27030S-AMP1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CGH27030S-AMP1 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號(hào)增益：> 15 dB 小信號(hào)增益266瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:56
CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CGH27030S 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號(hào)增益：> 15 dB 小信號(hào)增益203瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:54
CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號(hào)增益：> 15 dB 小信號(hào)增益324瀏覽量
