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• 發布了產品 2022-07-11 14:26

  GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續波性能：4100兆赫 P3dB 時的輸出功：235 W 增益：10 分貝

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• 發布了產品 2022-07-11 14:18

  GTRA384802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA384802FC-V1 峰值 P3dB： 280 W 典型的脈沖連續波性能：3800兆赫 輸出功率： 400 瓦

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• 發布了產品 2022-07-11 10:27

  GTRA374902FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA374902FC-V1 典型的脈沖連續波性能：3700兆赫 輸出功率：450 瓦 效率 ：60%

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• 發布了產品 2022-07-11 10:16

  GTRA364002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA364002FC-V1 典型的脈沖連續波性能：3400-3600兆赫 P3dB 時的輸出功： 400 W 效率 ：60%

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• 發布了產品 2022-07-11 10:06

  GTRA362802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA362802FC-V1 峰值 P3dB ：180 W 典型值 典型的脈沖連續波性能：3400-3600兆赫 P3dB 時的輸出功： 280 W

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• 發布了產品 2022-07-11 09:54

  GTRA362002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA362002FC-V1 P3dB輸出功率： 200 W 效率：60% 增益：12.5 分貝

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• 發布了產品 2022-07-08 18:54

  MRF137 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管放大器 MACOM品牌

  

  產品型號：MRF137 輸出功率：30 W 最小增益：13 dB 效率：60%

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• 發布了產品 2022-07-08 18:17

  MRF136 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 MACOM品牌

  

  產品型號：MRF136 晶體管極性:：N-Channel 工作頻率:：400 MHz 增益:：16 dB

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• 發布了產品 2022-07-08 10:50

  GTRA360502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA360502M-V1 峰值:P3dB：36w 典型脈沖：連續波性能 占空比：10%

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• 發布了產品 2022-07-08 10:36

  GTRA263902FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：GTRA263902FC-V2 輸出功率為：P3dB = 370 W 典型脈沖：連續波性能 效率：70%

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