動態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-05-07 01:08
10.7.9 有機半導體材料(OSM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP613瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-06 01:07
10.7.8 柔性微機電系統(tǒng)技術(shù)(F-MEMS)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)A517瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-05 01:09
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》全書
第1章導論1.1電子學的進展1.2碳化硅的特性和簡史1.3本書提綱第2章碳化硅的物理性質(zhì)2.4總結(jié)2.3熱學和機械特性2.2.6擊穿電場強度2.2.5漂移速率2.2.4遷移率2.2.3雜質(zhì)摻雜和載流子濃度2.2.2光吸收系數(shù)和折射率2.2.1能帶結(jié)構(gòu)2.1晶體結(jié)構(gòu)第3章碳化硅晶體生長3.9總結(jié)3.8切片及拋光3.7化學氣相淀積法生長3C-SiC晶圓3.6溶液4.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-05 01:07
10.7.7 柔性電子標簽∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUP451瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-04 01:09
附錄C 常見SiC多型體主要物理性質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
附錄C常見SiC多型體主要物理性質(zhì)附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518E650瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-04 01:07
10.7.6 柔性襯底技術(shù)(FST)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
FlexibleSubstrateTechnology(FST)審稿人:南京大學施毅國玉https://www.nju.edu.cn/main.htm審稿人:北京大學劉曉彥杜剛https://www.pku.edu.cn10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCP629瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-03 01:09
附錄B 雙曲函數(shù)的性質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
附錄B雙曲函數(shù)的性質(zhì)附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518EV300Hi3539瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-03 01:07
10.7.5 柔性存儲器(FM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)M462瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-02 01:10
附錄A 4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
附錄A4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518940瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-02 01:08
10.7.4 有機場效應(yīng)晶體管(OFETs)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替544瀏覽量