動態

• 發布了文章 2021-12-31 05:29

  LLC拓撲中，為什么選用體二極管恢復快的MOSFET（FR-MOS）

  

  LLC諧振轉換器就是一種軟開關拓撲，允許主功率開關管零電壓開關，顯著降低開關損耗，大幅提高電源能效。在這種拓撲中，為了實現ZVS開關，功率開關管的寄生體二極管必須反向恢復時間非常短（FR-MOS）。如果體二極管不能恢復全部載流子，則在負載從低到高的變化過程中，可能會發生硬開關操作，并可能導致寄生雙極晶體管導通。在電信設備電源、大型計算機/服務器、電焊機、鋼材

  二極管

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• 發布了文章 2021-12-31 05:27

  6.1.1 選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第６章碳化硅器件工藝5.4總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.2.1壽命控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.2載流子

  SiC

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• 發布了文章 2021-12-31 05:26

  9.2.6 拋光工藝和拋光片∈《集成電路產業全書》

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊相關鏈接：8.8.11無應力拋光設備（SFP）∈《集成電路產業全書》3.8切片及拋光∈《碳化硅技術基

  集成電路

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• 發布了文章 2021-12-31 05:23

  6.1.3 p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第６章碳化硅器件工藝5.4總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.2.1

  SiC

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• 發布了文章 2021-12-31 05:22

  9.2.7 硅片清洗與包裝∈《集成電路產業全書》

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙

  集成電路

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• 發布了文章 2021-12-31 05:19

  6.1.4 半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  6.1.4半絕緣區域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第６章碳化硅器

  碳化硅

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• 發布了文章 2021-12-31 05:18

  9.3.1 點缺陷∈《集成電路產業全書》

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基板、藍寶石晶圓

  集成電路

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• 發布了文章 2021-12-31 02:06

  5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2雙極退化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.1.6.2電子順磁共振∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.1.6.1深能級瞬態譜∈《碳化硅

  SiC

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• 發布了文章 2021-12-31 02:05

  9.1.11 硅基石墨烯∈《集成電路產業全書》

  

  9.1硅材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基

  集成電路

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• 發布了文章 2021-12-31 02:02

  5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2雙極退化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.1

  碳化硅

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