動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-01-13 01:06

  9.4.4 砷化鎵熱處理和晶片加工∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-01-12 01:08

  6.3.5.1 界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.7電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技

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• 發(fā)布了文章 2022-01-12 01:06

  9.4.3 砷化鎵單晶的制備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.

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• 發(fā)布了文章 2022-01-11 01:18

  6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.3.4.8其他方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.7電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理—

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• 發(fā)布了文章 2022-01-11 01:17

  9.4.2 集成電路對化合物半導(dǎo)體材料的要求∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-01-10 01:18

  6.3.4.7 電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.3.4.7電導(dǎo)法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Ter

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• 發(fā)布了文章 2022-01-10 01:16

  9.4.1 化合物半導(dǎo)體材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高

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• 發(fā)布了文章 2022-01-09 01:19

  6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.

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• 發(fā)布了文章 2022-01-09 01:18

  9.3.14 誘生微缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-01-08 01:24

  6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.3.4.5高低頻方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.2MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3

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