女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發(fā)

364內容數(shù) 37w+瀏覽量 93粉絲

動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2022-02-27 01:08

    8.2.6 功率MOSFET 的實施:DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    8.2.6功率MOSFET的實施:DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.5比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.3MOSF
    1.9k瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-27 01:07

    9.6.8 化學機械拋光墊和化學機械修整盤∈《集成電路產業(yè)全書》

    ChemicalMechanicalPolishingPadandConditioningDisc撰稿人:安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人:浙江大學余學功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊鏈接:8.8.10化學機械拋光機(
    650瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-26 01:09

    FPGA.AG1KLPQ48 替代Lattice ICE5LP1K

    AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280Q48替代AlteraEPM1270AG1KLPQ48替代LatticeICE5LP1KFPGAfamilydevice-AG1Kisultra-lowcostandpowerwithaslowas50uAstandbycu
    1.9k瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-26 01:08

    8.2.5 比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    8.2.5比通態(tài)電阻8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.3MOSFET電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.2分裂準費米能級的MOS靜電學∈《碳化
    765瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-26 01:07

    9.6.7 化學機械拋光液∈《集成電路產業(yè)全書》

    ChemicalMechanicalPolishingSlurry撰稿人:安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人:浙江大學余學功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊鏈接:8.8.10化學機械拋光機(CMP)∈《集成電路產業(yè)全書》?
    693瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-25 01:09

    國產CPLD:AG1280Q48 替代Altera EPM1270

    AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280isultra-lowcostandpowerinQFN-486x6andQFN-324x40.8mm(actual0.77mm)thinknesspackaging.Thedevicehas1280LUTsandmaxim
    4.6k瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-25 01:07

    8.2.4 飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    8.2.4飽和漏極電壓8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.3MOSFET電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.2分裂準費米能級的MOS靜電學∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.1MOS靜電學回顧∈
    790瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-25 01:06

    9.6.6 清洗腐蝕試劑∈《集成電路產業(yè)全書》

    CleaninganndEtchingChemicals撰稿人:安集微電子科技(上海)股份有限公司陳東強http://page.anjimicro.com審稿人:浙江大學余學功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).AD
    384瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-24 01:10

    國產MCU PtP STMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義

    鏈接:AGMMCU:AG103/107/205/303/407,功能和管腳完全兼容STM32F103/107/205/303/407詳情:AG32VF103RCT6(64pin)PINtoPINSTMcu、GDMcu詳情:AG32VF103VCT6(100pin)PINtoPINSTMcu、GDMcu詳情:AG32VF407RGT6(64pin)PINtoP
    2.3k瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-02-24 01:08

    8.2.3 MOSFET電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    8.2.3MOSFET電流-電壓關系8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.2分裂準費米能級的MOS靜電學∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.1MOS靜電學回顧∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.1.6功率JFET器
    889瀏覽量

企業(yè)信息

聯(lián)系人:張涵清

聯(lián)系方式:
關注查看聯(lián)系方式

地址:福田區(qū)金田路2022號華軒大廈305

公司介紹:代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發(fā)

查看詳情>