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20個半導體項目落戶長沙!打造新一代半導體材料技術及產業發展中心

h1654155973.6121 ? 來源:YXQ ? 2019-07-09 15:50 ? 次閱讀
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7月6日,長沙舉辦新一代半導體產業鏈建設合作交流暨集中簽約活動。全國政協教科衛體委員會副主任曹健林,中國工程院院士、原總裝備部科技委主任郭桂蓉,湖南省科技廳黨組書記、廳長童旭東,長沙市委副書記朱健,副市長邱繼興等領導出席。

會上,觀想科技與湖南湘江新區、創一電子與望城經開區、尤內森株式會社與瀏陽高新區等20個材料、芯片器件、智能制造和應用等項目現場簽約。由清華大學等20家國內一流高校、行業龍頭企業聯合籌建的長沙新一代半導體研究院正式揭牌運行。

半導體材料之于集成電路,如同土地之于城市。

很明顯,山地、丘陵多者不適合建造城市,沙化土壤、石灰巖多的地方也不適合建造城市。“建造”城市需要選一塊好地,“集成”電路也需要一塊合適的基礎材料——就是半導體。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵(化合物),其中應用最廣的、商用化最成功的當推硅。世界的科技創新洼地——硅谷,也因此得名。

(長沙新一代半導體研究院正式揭牌運行。圖片均由星辰全媒體記者 陳誠/攝)

如今半導體已發展到第三代,各國都在搶占這一“風口期”。全力打造國家智能制造中心的長沙,已形成了新一代半導體產業鏈。在近日舉辦的長沙新一代半導體產業鏈建設合作交流暨集中簽約活動上,20個項目集中簽約,長沙新一代半導體研究院正式揭牌。

一個新的千億產業初具雛形。

布局:一條主線、三個中心、五個鏈條

半導體是現代高科技產業的基礎,是支持我國經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業。近年來,長沙圍繞“一條主線、三個中心和五個鏈條”的總體布局,全力推動項目建設,加強技術研發,聚集產業人才,產業鏈不斷向上下游延伸,其中一條主線:以第三代半導體為核心的新一代半導體產業健康生態體系;三個中心:新一代半導體材料中心(瀏陽高新區)、新一代半導體科創中心(湖南湘江新區)、新一代半導體應用及智造中心(望城經開區);五個鏈條:材料芯片產業鏈、電子電力產業鏈、微波電子產業鏈、光電子產業鏈和配套衍生產業鏈。

目前,長沙正在著手制訂關于加快新一代半導體集成電路產業發展的若干意見,計劃用三年時間重點支持高端研發機構在長沙落戶,根據創新成果、產出以及項目給予支持。同時,進一步加強市場對接和技術交流,在5G商用、智能終端、智能網聯的優勢領域進一步開放應用場景,促進產業鏈上下游之間配套融合發展。特別是對于重點企業、重大科技成果、國家重大項目,將從技術、人才、市場、資金等多個維度給予支持,充分釋放政策紅利,為新一代半導體產業發展提供更好的試驗田和成長土壤。

產業:打造新一代半導體材料技術及產業發展中心

近年來,一批新一代半導體產業項目紛紛落戶長沙,產業初具規模。

天玥科技科創中心簽約落戶湖南湘江新區月亮島,項目包括總部基地、研究院、應用及制造中心。未來5至10年,該中心將力爭推動長沙建成世界級新一代半導體材料技術及產業發展中心,逐步成為新一代半導體材料產業集群核心地帶。

上??谱V激光科技有限公司主要從事芯片的研發和生產,總經理陳博表示,光通信芯片廣泛應用于5G、自動駕駛、智能制造等領域,但目前還依賴進口,科譜激光則致力于填補這一國內空白。“長沙區域條件優越,而且具備很強的科研優勢,我們希望能夠盡早落戶長沙,為我國新一代半導體產業貢獻力量?!?/p>

“長沙的幾個產業園區對新一代半導體都有扶持計劃,這是企業成長的動力?!遍L沙鑫康新材總經理鄒碩華認為,產業實現集聚后,有利于實現上下游聯動,“客戶就集中在周邊,溝通合作更加順暢,如果他們想應用一些新的材料,我們就能及時對接,大家抱團發展?!?/p>

配置:成立研究院與產業投資基金

新一代半導體產業是技術密集、人才密集、資金密集和科技密集型產業。

7月6日,由清華大學、北京航空航天大學、電子科技大學等20家國內一流高校、行業龍頭企業聯合籌建的長沙新一代半導體研究院正式揭牌。該研究院將開展技術、應用和服務等創新研究,力爭到2025年建成國內領先的新一代半導體科創中心。

金融是產業發展的源頭活水,在這一方面,長沙除了出臺政策釋放紅利,還與協同創新基金、華青股權投資等20多家國內基金管理公司聯合建立了新一代半導體產業鏈項目投資基金聯盟,資金規模200億元,實現了產業項目健康發展與社會資本投入的體系融合。

名詞解釋:新一代半導體

半導體可大致分為三代,第三代半導體也被稱為新一代半導體。

第一代半導體材料硅(Si)和鍺(Ge)主要用于以計算機為代表的數值計算,成就了“美國硅谷”高科技產業群,促成英特爾德州儀器等半導體巨頭的誕生;

第二代半導體材料砷化鎵(GaAs)和磷化姻(InP)主要用于無線通信,帶來了光纖通信、移動通信、GPS全球導航等電子信息業的飛速發展;

第三代半導體材料禁帶寬度(能帶隙)大,又稱寬禁帶半導體;主要包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),SiC最接近產業化。第三代寬禁帶半導體具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點,可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

目前第三代半導體的典型應用,包括新能源汽車、軌道交通、輸電系統、太陽能和風能并網、雷達、5G移動通信等領域。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:長沙:20個項目簽約!千億第三代半導體!

文章出處:【微信號:xinlun99,微信公眾號:芯論】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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