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關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來源:djl ? 2019-08-22 10:08 ? 次閱讀

本文中將對本設(shè)計(jì)中使用的電源IC固有的功能、過負(fù)載保護(hù)校正功能的設(shè)置相關(guān)的電阻值進(jìn)行計(jì)算。

主要部件選型:用來設(shè)置過負(fù)載保護(hù)點(diǎn)切換的電阻R20

首先,來確認(rèn)過負(fù)載保護(hù)點(diǎn)切換設(shè)置電阻R20在電路上的位置。這個電路圖是從整個電路圖中摘錄的。

此次設(shè)計(jì)中使用的電源IC“BD7682FJ”對于輸入電壓的波動具有校正過負(fù)載保護(hù)點(diǎn)的功能。

當(dāng)輸入電壓上升時(shí),如果過流限制是恒定的,則容許功率將直接增加。當(dāng)輸入電壓超過設(shè)置值時(shí),這種校正功能可通過降低電流限制電平來降低損耗功率,從而使過負(fù)載時(shí)的保護(hù)更可靠。

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

下面為計(jì)算示例。輸入電壓采用三相380VAC來進(jìn)行設(shè)計(jì)。三相380VAC的最大值為√2×380VAC = 537VAC。對此取50%左右的余量,將切換電壓設(shè)置為DC800V。

公式中的Izt是開關(guān)導(dǎo)通時(shí)從IC流到變壓器VCC繞組Nd的電流。當(dāng)Izt超過1mA時(shí),降低過流限制電平,來降低過負(fù)載保護(hù)點(diǎn)。

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

接下來,我們來確認(rèn)過負(fù)載保護(hù)點(diǎn)切換后,是否能保證額定負(fù)載。當(dāng)過負(fù)載保護(hù)點(diǎn)切換時(shí),Vcs=1.0V變?yōu)?.70V。這意味著過電流限制變?yōu)?.7倍。然后計(jì)算這個條件下的各個參數(shù)。

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

設(shè)變壓器的轉(zhuǎn)換效率為η=0.85,則過載切換后的輸出功率可通過下述公式計(jì)算。

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

在這個公式中,fsw’不是計(jì)算值158kHz而是120kHz的原因是電源IC的最大開關(guān)頻率為120kHz。

通過計(jì)算結(jié)果可以看出,當(dāng)輸入電壓高于800VDC時(shí),過載點(diǎn)發(fā)生變化,輸出功率被限制為19.38W。下面給出示例電路中的實(shí)測值作為參考值。關(guān)于過負(fù)載保護(hù)點(diǎn),不僅需要計(jì)算,還需要在整機(jī)實(shí)裝狀態(tài)下進(jìn)行確認(rèn)。

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

電流檢測示例電路中的實(shí)測值(參考值)

關(guān)鍵要點(diǎn):

?過負(fù)載保護(hù)校正功能是這款I(lǐng)C的功能,當(dāng)輸入電壓超過設(shè)置值時(shí),通過降低電流限制電平來降低損耗功率,從而使過負(fù)載時(shí)的保護(hù)更可靠。

?切換電壓根據(jù)R20的電阻值(按文中給出的公式計(jì)算)設(shè)置。

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