女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

屬于 SiC器件的時代也許真的要到來了

kus1_iawbs2016 ? 來源:YXQ ? 2019-04-19 16:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三月底,在祖國大陸的大部分地方還是乍暖還寒的時候,海南已經稍顯悶熱了,但這并不能阻擋賽車愛好者齊聚三亞。因為2018-2019賽季ABB國際汽車聯電動方程式錦標賽將會在這里隆重上演。但與傳統的F1比賽不一樣,這里的跑道少了汽車的轟鳴聲,因為參與這系列比賽的都是電動車。

據大賽官方資料介紹,ABB國際汽聯電動方程式錦標賽是國際汽聯旗下首個也是唯一一個全電動單座賽車錦標賽,它不僅是一項極具突破性的國際頂級競技體育項目,同時又肩負引領未來移動出行的發展方向,有效地提升民眾對電動汽車的關注與熱情的重任。

而回歸到比賽本身,這些車隊為了提升電動車的續航和電機的效率,嘗試了各種方式,但文圖瑞車隊的工程師們在半導體廠商-羅姆的支持下,找到了開啟電動車神奇盒子的鑰匙——碳化硅(SiC)。

該車隊的CTO在接受半導體行業觀察等媒體采訪的時候提到,他們在其賽車上采用了羅姆的SiC之后,就將逆變器的尺寸變小了。因為賽事對賽車和車手的總重量有限制,這個改變就讓他們有更多的空間去做其他設計,進一步提升賽車的競爭力。

他進一步指出,因為SiC器件本身的效率的提升,可以有更高的切換開關頻率,所以既能優化逆變器本身的效率,也可以優化電機的效率。,這樣就讓他們在比賽中更有優勢。

再者,因為這些比賽在全球各地多地舉辦,當中會涉及一些極高溫和低溫環境,但是使用了羅姆SiC器件的電動車同樣能夠在這些場景正常工作。

從他的介紹中,我們可以看到他對SiC技術的高度認可,但這些改變背后,是包括羅姆半導體工程師在內的眾多工程師努力的成果。

作為硅材料的接班人,寬禁帶半導體材料碳化硅不但擁有擊穿電場強度高、熱穩定性好等優勢,還具有載流子飽和、漂移速度高和熱導率高等特點,這就讓它用來制造各種耐高溫的高頻、高效大功率器件,并被應用到包括逆變器和電動車等多種場景中。這種巨大的市場潛力就吸引了眾多廠商投身其中,羅姆半導體則是當中一個走在比較前的廠商。

據半導體行業觀察了解,羅姆早在2000年就開始了相關的研發,公司也打造了涵蓋SiC器件、晶圓及鑄件生產制造各個環節的內部垂直整合型生產體制,并在2010率先研發成功了SiC MOSFET。據透露,現在全球也已經有超過20個汽車客戶使用了羅姆的SiC產品,他們也推出了包括SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模組在內,覆蓋650到1700V的多系列多款SiC產品,多年的研究投入更是讓他們成長為全球領先的SiC器件供應商。SiC市場也在羅姆半導體等廠商的推動下,進入了大爆發的前夜。

根據國際知名分析機構Yole預測,在電動汽車等應用的驅動下,SiC功率半導體市場規模到2023年將增長至14億美元,在2017~2023年期間的復合年增長率(CAGR)更是達到29%。因為各大晶圓廠在設備投資上面的判斷相對保守,這就形成了難以獲取SiC晶圓,價格也始終居高不下的狀況。為了改變這個現狀,就必須突破現有的技術瓶頸,以短時間內形成高品質的薄膜。

為了迎接SiC時代的來臨,羅姆除了基于其引以為傲的一條龍生產體制,致力于晶圓的大口徑化以及使用最新設備帶來生產效率的提高,降低成本外。在先于全球導入六英寸的碳化硅產線之后,羅姆甚至計劃提前導入八英寸SiC產線,進一步降低SiC的價格。同時,他們還計劃在2025年之前,在SiC領域投資600億日元,將其SiC的產量較之2017年提升16倍,以滿足多樣化的SiC需求。

在羅姆SiC的支持下,文圖瑞車隊車手愛德華多·莫塔拉在今年三月于香港舉辦的第五賽季的Formula E(國際汽聯電動方程式比賽)第五賽段中榮登冠軍寶座。除了羅姆外,其他歐美中各大廠商也都在努力,我們似乎已經看到了一個SiC時代的到來。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28918

    瀏覽量

    237996
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65257

原文標題:屬于SiC器件的時代也許真的要到來了

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導體技術創新聯盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    國產SiC碳化硅功率半導體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產的背景下,國產碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機遇。
    的頭像 發表于 06-19 16:43 ?326次閱讀

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體
    的頭像 發表于 05-15 15:28 ?565次閱讀
    GaN與<b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>深度解析

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態測試中的應用

    異的高溫和高頻性能。 案例簡介:SiC MOSFET 的動態測試可用于獲取器件的開關速度、開關損耗等關鍵動態參數,從而幫助工程師優化芯片設計和封裝。然而,由于 SiC MOSFET 具備極快的開關特性
    發表于 04-08 16:00

    SiC器件封裝技術大揭秘:三大“絕技”讓你驚嘆不已!

    半導體碳化硅(SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,以其耐高壓、高溫、導通電阻低、開關速度快等優異特性,在電力電子領域展現出了巨大的應用潛力。然而,要充分發揮SiC
    的頭像 發表于 02-21 13:18 ?945次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>封裝技術大揭秘:三大“絕技”讓你驚嘆不已!

    Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

    大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的
    的頭像 發表于 01-21 11:03 ?1759次閱讀
    Si IGBT和<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET混合<b class='flag-5'>器件</b>特性解析

    SiC MOSFET分立器件及工業模塊介紹

    BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發表于 01-16 14:32 ?1次下載

    SiC功率器件的特點和優勢

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術,其相較于傳統的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優勢日益顯現。Wolfspeed 等公司推出的 SiC
    的頭像 發表于 12-05 15:07 ?1248次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的特點和優勢

    揭秘安森美在SiC市場的未來布局

    目前,SiC功率器件產品迎來了全面爆發,眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品,尋求打進汽車供應鏈。2024年新能源汽車的競爭進入白熱化階段,國產
    的頭像 發表于 11-15 10:35 ?799次閱讀

    SiC功率器件中的溝槽結構測量

    汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應更高的電壓,擁有更快的開關速度,并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。
    的頭像 發表于 10-16 11:36 ?840次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>中的溝槽結構測量

    SiC MOSFET和SiC SBD的區別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件,它們在電力電子領域具有廣泛的應用。盡
    的頭像 發表于 09-10 15:19 ?3590次閱讀

    什么是SiC功率器件?它有哪些應用?

    SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優異的物理和化學特性,如高絕緣擊穿場
    的頭像 發表于 09-10 15:15 ?4342次閱讀

    SiC二極管概述和技術參數

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率
    的頭像 發表于 09-10 14:55 ?2676次閱讀

    系統寄生參數對SiC器件開關的影響分析

    *本論文摘要由PCIM官方授權發布/摘要/本文分析了系統寄生參數對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關開通時的過流機理,以及開通電流振蕩的原因。除了寄生電感對功率器件電壓應力
    的頭像 發表于 08-30 12:24 ?827次閱讀
    系統寄生參數對<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>開關的影響分析

    SiC器件在電源中的應用

    SiC(碳化硅)器件在電源中的應用日益廣泛,其獨特的物理和化學特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關鍵材料。以下將詳細探討SiC
    的頭像 發表于 08-19 18:26 ?1639次閱讀

    三菱電機SiC器件的發展歷程

    三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史,從基礎研究、應用研究到批量商業化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機一直致力于開發和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件
    的頭像 發表于 07-24 10:24 ?1180次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>的發展歷程