課程介紹
之前我們說到了ΔI上升的斜率和上升的高度是Von來決定,下降的話當(dāng)然就是由Voff來決定,以及電感量還有ton的時(shí)間來決定高度。如果這幾個(gè)數(shù)值都下降的話,ΔI也會(huì)降下來,這樣頻率也會(huì)跌下來,L也就出來了。所以只要知道這幾個(gè)數(shù)IL、Von、ton以及頻率,這樣就可以將L求出來了。
于是我們需要找到這樣的一個(gè)關(guān)系,這個(gè)關(guān)系是所有電感都滿足的一個(gè)特性。我們知道電感有一個(gè)最樸實(shí)的公式V=L*(di/dt)。從這個(gè)公式我們可以看出來,di實(shí)質(zhì)上就是ΔI,也就是它的紋波,dt就是上升開通的時(shí)間。所以由這個(gè)公式我們可以轉(zhuǎn)換為L=Von*ton/ΔI。
學(xué)習(xí)獲得:
學(xué)習(xí)隔離式反激開關(guān)電源設(shè)計(jì)
1、反激開關(guān)電源的設(shè)計(jì)思路,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理框圖講解
2、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
3、經(jīng)典驅(qū)動(dòng)芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
4、頻率設(shè)計(jì)講解
5、吸收電路設(shè)計(jì)及作用講解
6、功率開關(guān)管MOSFET的開關(guān)速度,發(fā)熱因素及選型講解
7、輸出電路設(shè)計(jì)
8、MOSFET選型,吸收電路器件選型,輸出二極管選型,輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。
9、電流環(huán)設(shè)計(jì)
10、電壓環(huán)設(shè)計(jì)
11、經(jīng)典基準(zhǔn)電壓源TL431 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
12、光耦的應(yīng)用講解
13、TL431、光耦組合電路參數(shù)計(jì)算。
14、EMI設(shè)計(jì)簡單介紹
適宜學(xué)習(xí)人群:
1、如果你還是學(xué)生,正厭倦于枯燥的課堂理論課程,想得到電子技術(shù)研發(fā)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn);
2、如果你即將畢業(yè)或已經(jīng)畢業(yè),想積累一些設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)憑此在激烈競爭的就業(yè)大軍中脫穎而出,找到一份屬于自己理想的高薪工作;
3、如果你已經(jīng)工作,卻苦惱于技能提升緩慢,在公司得不到加薪和快速升遷;
4、如果你厭倦于當(dāng)前所從事的工作,想快速成為一名電子研發(fā)工程師從事令人羨慕的研發(fā)類工作。
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