2月22日韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo), 三星電子今天表示,它已成功開發(fā)出第五代(5G)基站的射頻集成電路(RFIC)。
三星電子表示,毫米波(mmWave)頻段的覆蓋范圍已從800MHz擴(kuò)展到1.4GHz,大大提高了數(shù)據(jù)傳輸速度。芯片尺寸小型化約36%。
據(jù)三星稱,該芯片降低了相位噪聲,使其能夠處理更清晰的無線電信號(hào)。
使用28GHz或39GHz mmWave頻譜頻段的國(guó)家,如美國(guó)和韓國(guó),是RFIC部署的主要目標(biāo)市場(chǎng)。
這張由三星電子提供的照片顯示了第五代RFIC。(韓聯(lián)社)
該公司表示,三星將在今年第二季度開始商業(yè)化生產(chǎn)新的5G芯片,并在今年內(nèi)開發(fā)出24GHz和47GHz頻譜的芯片。
此外,該公司還宣布開發(fā)數(shù)字/模擬前端(DAFE)ASIC,這是5G芯片組的另一個(gè)核心組件。DAFE是模擬和數(shù)字之間轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵,可將尺寸,重量和功耗降低約25%。
“三星正憑借其創(chuàng)新解決方案(包括低功耗RFIC和DAFE ASIC)建立其5G領(lǐng)先地位,開創(chuàng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型的新時(shí)代,”三星網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)研發(fā)主管Jeon Jae-ho說。“我們很高興地宣布我們完成了對(duì)這些新芯片組的開發(fā),這些芯片組將在推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的同時(shí)發(fā)揮重要作用。”
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原文標(biāo)題:三星電子宣布成功開發(fā)5G基站RFIC
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