女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

鈺創科技開發全新的DRAM架構

電子工程師 ? 來源:cc ? 2019-02-11 09:16 ? 次閱讀

DRAM在過去的幾十年里發展方向單一,以追求高密度存儲器為目標,但***的鈺創科技沒有走傳統路線,而是開發全新的DRAM架構,稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。

在過去的幾十年里,DRAM產業的發展方向單一,以追求高密度存儲器為目標,首先是非同步 DRAM,然后發展到DDR5同步DRAM。鈺創科技(Etron Technology)在今年度消費性電子展(CES 2019)上表示該公司沒有走傳統路線,而是開發全新的DRAM架構,稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。

鈺創科技董事長暨執行長盧超群表示,RPC DRAM只使用到一半數量的接腳,既能達到小型化,又能降低成本。他將RPC DRAM定位為小型化穿戴式裝置和終端AI子系統的理想選擇。盧超群補充說明,為了采用DDR4,現今許多研發小型穿戴式裝置的公司必須購買更多不需要的元件,「對于許多開發小型系統的研發人員來說,導入DDR4反而多余。」

RPC DRAM帶領DRAM技術藍圖往不同的方向發展。

更具體地說,鈺創的RPC DRAM號稱可提供16倍的DDR3頻寬,在40接腳的FI-WLCSP封裝中僅使用22個開關訊號;該公司表示,RPC DRAM在無需增加設計復雜性和成本的情況下,能提供DDR4的容量和頻寬。

RPC鎖定未被滿足的市場

市場研究機構Objective Analysis的分析師Jim Handy對 EE Times表示:「DRAM的有趣之處在于大廠僅關注每年出貨量可達數億甚至數十億顆的元件;這為鈺創這樣的公司提供了機會,前提是它們能夠想辦法說明標準型動態隨機存取存儲器(commodity DRAM)并不能滿足目前的市場需求,并制造出能滿足這些市場需求的零組件。這(RPC DRAM)就是一個例子。」

在被問到RPC DRAM 可用來解決哪些問題時,Handy 表示:「主要是節省成本和空間;鈺創提出了一個令人信服的論點,即RPC透過減少I/O接腳數目或以其他方式支援較小的邏輯晶粒(logic die)尺寸,進而(藉由允許公司購買較低密度的元件)降低DRAM和FPGA或SoC 的成本。他補充指出:「我發現節省成本是任何一種新產品最吸引人的理由。」

RPC DRAM與DDR3或LPDDR3 DRAM相似,但是少了一半以上的接腳數。

與萊迪思建立合作關系

RPC DRAM不僅僅是新DRAM架構的概念,鈺創還在CES展上透露該公司已經與萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)合作,展出可兼容鈺創RPC DRAM的萊迪思EPC5 FPGA解決方案。

為此EE Times詢問了萊迪思這間FPGA公司,在RPC DRAM架構中發現了哪些傳統DRAM所沒有的「特點」或「優勢」?該公司產品營銷總監Gordon Hands告訴我們:「包括FPGA在內的許多芯片之使用者相當重視I/O接腳,它們通常會對設計工程師帶來限制;透過消除對單獨控制和位址接腳(address pins)的需求,鈺創的RPC存儲器能減少對這些稀少資源的使用。」

那么萊迪思的FPGA采用RPC DRAM后,有變得更好用嗎?對此Hands解釋:「自從推出ECP品牌,萊迪思一直專注于提供比其他中階FPGA產品在每個邏輯容量上更高的FPGA頻寬,研發人員運用I/O環路中的預設計元件來實現DDR存儲器界面,我們重新使用這些元件來支援鈺創的RPC。」

Hands指出,到目前為止萊迪思和鈺創的合作已經證明了此概念性設計可以讓此兩間公司的芯片具兼容性;他補充,「在2019年上半年,萊迪思希望發表一系列參考設計和展示,促使客戶加快導入此技術。」

結合萊迪思FPGA與鈺創的PRC DRAM參考設計在CES 2019亮相。

RPC DRAM無可取代?

那么,OEM和ASIC研發人員對這種新型存儲器架構的需求會有多高?除了RPC DRAM,是否有其他解決方案呢?對此Objective Analysis的Handy 表示:「目前不需要高密度DRAM的應用通常會使用SRAM,但后者相當昂貴;低密度DRAM是另一種選擇,但它們比大多數的設計需要更寬的界面。」

在Handy看來,RPC承諾能用更具成本效益的解決方案來取代以上兩者,因此只要鈺創能堅持到底,他們應該能在市場上獲得佳績。

鈺創的盧超群指出,縮小存儲器尺寸是導入穿戴式裝置的一個關鍵因素,存儲器尺寸太大將是目前的一大缺點。他以Google智慧眼鏡為例解釋,DDR3的頻寬足以讓智慧眼鏡擷取與播放影像,但問題是DDR3的9x13mm球閘陣列封裝(BGA)尺寸使其無法放進智慧眼鏡。

盧超群表示,DDR3存儲器在x16配置的96球BGA封裝中,尺寸大約為9 x 13mm;無論晶粒容量多大,采用0.8 mm間距6列、16接腳,最小封裝尺寸維持不變,即使改用256 Mbit至8 Gbit任何容量的晶粒,封裝體積也是一樣。

但如果DRAM不是采用BGA封裝呢?對此盧超群解釋,FI-WLCSP的制程與BGA不同,「不是一次只封裝一顆芯片,而是一片晶圓一整批封裝;」而每個封裝單元都是半導體晶粒的大小,也就是小型的FI-WLCSP封裝內就是一顆小晶粒。他表示:「RPC DRAM是世界上第一款采用FI-WLCSP封裝的 DRAM。」

采用不同封裝的RPC DRAM。

使用FI-WLCP封裝時,不用基板、也不用打線接合(wire-bonding)或覆晶(flip-chip)等封裝步驟。封裝元件內包含沉積的電介質和光學定義的導體,接著是電鍍和植錫球,所有制程都在完整晶圓片上進行。

鈺創的影像和存儲器產品開發副總裁暨首席科學家Richard Crisp接受EE Times訪問時表示:「減少接腳數目和較小的晶粒尺寸為RPC DRAM能采用FI-WLCSP封裝的關鍵因素;」他強調:「沒有其他DRAM采用此封裝方式,RPC DRAM只有一粒米的大小。」

一切都與成本有關

要在市場上推廣 RPC DRAM,鈺創必須做什么?Objective Analysis的Handy認為:「鈺創需要確保產品價格能為OEM廠商帶來成本效益,他們似乎正為了這個目標在努力,由此可知他們正朝著對的方向前進;而如果這些廠商可能會因為依賴單一供應來源而感到不安的話,鈺創要是能列出替代供應來源會有幫助。」

被問到RPC DRAM的晶圓代工伙伴時,鈺創僅表示該產品采用與該公司其他DRAM產品一樣的制造來源,但婉拒透露具體合作廠商名稱。至于RPC DRAM 的制程,鈺創的Crisp 強調:「與標準 DDR3 相比,我們使用標準的制程與材料,不需要用到特別夸張的信令(signaling)或特殊材料。」

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關注

    關注

    40

    文章

    2343

    瀏覽量

    185192
  • 鈺創科技
    +關注

    關注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    1786

原文標題:行業 | 值得學習!臺廠開發新架構DRAM

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    技術分享 | 如何在2k0300(LoongArch架構)處理器上跑通qt開發流程

    技術分享 | 如何在2k0300開發板(LoongArch架構)處理器上跑通qt開發流程
    的頭像 發表于 05-20 11:05 ?194次閱讀
    技術分享 | 如何在2k0300(LoongArch<b class='flag-5'>架構</b>)處理器上跑通qt<b class='flag-5'>開發</b>流程

    全新STM32MP257開發板震撼發布!異核架構x接口豐富x邊緣AI,助力ARM嵌入式工業4.0應用!

    全新STM32MP257開發板震撼發布!異核架構x接口豐富x邊緣AI,助力ARM嵌入式工業4.0應用! ATK-DLMP257B開發板是正點原子基于STM32MP257DAK3處理器
    發表于 04-12 12:04

    SOA架構開發小助手PAVELINK.SOA-Converter 2.1.2新版本發布

    為提升汽車SOA架構設計開發效率,優化用戶體驗,我們對PAVELINK.SOA-Converter進行了全新升級。本次2.1.2新版本升級,聚焦于提升軟件性能、擴展功能特性及增強用戶交互體驗。
    的頭像 發表于 04-09 10:37 ?850次閱讀
    SOA<b class='flag-5'>架構</b><b class='flag-5'>開發</b>小助手PAVELINK.SOA-Converter 2.1.2新版本發布

    速騰聚發布AC1及AI-Ready生態 開創AI感知開發新時代

    2025年3月28日,RoboSense速騰聚正式發布機器人視覺全新品類Active Camera的首款產品AC1及AI-Ready生態,為行業提供顛覆性的機器人感知開發一站式解決方案。AC1提供
    發表于 03-28 12:39 ?332次閱讀
    速騰聚<b class='flag-5'>創</b>發布AC1及AI-Ready生態 開創AI感知<b class='flag-5'>開發</b>新時代

    寶馬發布全新一代智能電子電氣架構

    "超級大腦"賦能寶馬新世代車型智能駕駛樂趣 全新一代電子電氣架構搭載新世代車型,覆蓋全動力系統和全細分車型 全新一代電子電氣架構集成算力提升20倍,支持AI用戶體驗和場景
    的頭像 發表于 03-13 15:42 ?250次閱讀

    北京迅為RK3568開發板OpenHarmony系統南向驅動開發內核HDF驅動框架架構

    北京迅為RK3568開發板OpenHarmony系統南向驅動開發內核HDF驅動框架架構
    的頭像 發表于 03-11 14:13 ?991次閱讀
    北京迅為RK3568<b class='flag-5'>開發</b>板OpenHarmony系統南向驅動<b class='flag-5'>開發</b>內核HDF驅動框架<b class='flag-5'>架構</b>

    三星否認重新設計1b DRAM

    問題,在2024年底決定在改進現有1b nm工藝的同時,從頭設計新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關媒體表示相關報道不準確。盡管三星否認了重新設計,但有業內人士透露,三星的目標是提升1b DRAM的性能和良率。據了解,三星啟動了名為“D1b - p”的
    的頭像 發表于 01-23 10:04 ?901次閱讀

    三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期

    據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
    的頭像 發表于 01-22 14:27 ?531次閱讀

    龍C6748開發板求助

    求助各位大佬,使用龍的C6748開發板,運行LINE_IN例程,為什么輸入正弦波后,輸出的是雜波
    發表于 12-27 17:01

    芯原發布全新Vitality架構GPU IP系列

    芯原股份(芯原,股票代碼:688521.SH)今日宣布推出全新Vitality架構的圖形處理器(GPU)IP系列,具備高性能計算能力,廣泛適用于云游戲、AI PC、獨立顯卡和集成顯卡等應用領域。
    的頭像 發表于 12-19 15:26 ?762次閱讀

    DRAM的基本構造與工作原理

    本文介紹了動態隨機存取器DRAM的基本結構與工作原理,以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰。 DRAM的歷史背景與發展 動態隨機存取器(Dynamic Random Access Memory,簡稱
    的頭像 發表于 12-17 14:54 ?2568次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的基本構造與工作原理

    泰ETA3000電池均衡器IC

    描述 ETA3000是電池平衡IC,可面向上下兩串電池組,其可以通過無限級聯,實現3節-24節動力電池組的均衡,ETA3000是主動開關式均衡,其均衡電流可以達到1.5A。ETA3000是泰半
    發表于 10-25 10:13

    從芯片到系統賦能創新:2024新思科技開發者大會共創萬物智能未來

    9月10日,芯片行業年度嘉年華“2024新思科技開發者大會”在上海成功舉辦,匯聚全球科技領袖,與全場芯片開發者們一起探討如何加速從芯片到更廣泛科技領域的創新,共創萬物智能時代。 新思科技全球資深
    發表于 09-11 10:45 ?445次閱讀
    從芯片到系統賦能創新:2024新思<b class='flag-5'>科技開發</b>者大會共創萬物智能未來

    DRAM芯片的基本結構

    如果內存是一個巨大的矩陣,那么DRAM芯片就是這個矩陣的實體化。如下圖所示,一個DRAM芯片包含了8個array,每個array擁有1024行和256列的存儲單元。
    的頭像 發表于 07-26 11:41 ?1660次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>芯片的基本結構

    美光日本廣島DRAM新廠預計2027年量產

    全球知名的DRAM大廠美光,早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據悉,美光計劃斥資6,000至8,000億日元,在廣島興建一座全新DRAM工廠。這一項目預計將在2026年初破土動工,最快有望在2027年底前完成廠房建
    的頭像 發表于 06-14 09:53 ?863次閱讀