2018年下半，包括GlobalFoundries、聯(lián)電、中芯國(guó)際等主要全球晶圓代工廠相繼宣布退出10納米及其以下先進(jìn)工藝研發(fā)競(jìng)賽行列，相較之下，臺(tái)積電與Samsung Foundry(以下簡(jiǎn)稱(chēng)三星)不僅將7納米工藝先后導(dǎo)入量產(chǎn)，由二家公司技術(shù)藍(lán)圖比較，未來(lái)朝5納米與3納米工藝前進(jìn)，DIGITIMES Research預(yù)估，3納米將成臺(tái)積電與三星下個(gè)重要決勝工藝。

臺(tái)積電認(rèn)為在人工智能(AI)與5G帶動(dòng)下，將驅(qū)動(dòng)包括Mobile、HPC、IoT、Automotive等四大技術(shù)平臺(tái)持續(xù)成長(zhǎng)，這也將成為未來(lái)臺(tái)積電營(yíng)收年成長(zhǎng)5~10%的重要?jiǎng)幽?。為在這四大技術(shù)平臺(tái)取得優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電除規(guī)劃將Mobile、HPC、Automotive核心運(yùn)算芯片工藝往16FFC/12FFC、N7/N7+，乃至2020年上半才導(dǎo)入量產(chǎn)的5納米工藝集中，更將各工藝加以?xún)?yōu)化，創(chuàng)造出多個(gè)平臺(tái)，并協(xié)助客戶(hù)升級(jí)，一方面滿(mǎn)足客戶(hù)需求，另一方面則是設(shè)下技術(shù)障礙，讓競(jìng)爭(zhēng)者難以進(jìn)入。

除依循摩爾定律，持續(xù)在微縮工藝技術(shù)投入研發(fā)外，三星亦在全空乏絕緣上覆硅(Fully Depleted Silicon On Insulator；FD-SOI)工藝多所著墨。三星規(guī)劃于2020年推出18納米FD-SOI工藝的18FDS+RF/eMRAM整合平臺(tái)，目標(biāo)鎖定以超低功耗與及時(shí)上市(time to market)為產(chǎn)品訴求的IoT與MCU市場(chǎng)，包括GlobalFoundries、聯(lián)電、中芯國(guó)際等晶圓代工廠于這些市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將面臨許多挑戰(zhàn)。