隨著存儲器價格的下滑，接下來全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將面臨一輪新的低迷。對此，半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際協(xié)會 （SEMI），日前已經(jīng)將 2019 年全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)期資本支出，下調(diào)至更低的水平上。其中，SEMI 預(yù)測半導(dǎo)體大國韓國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出與 2018 年相較，將下降 34.7%。但是在中國***地區(qū)，則預(yù)期將會逆勢成長，較 2018 年成長 24.2%，達(dá)到 114.38 億美元。

根據(jù) SEMI 最近的最新報告中指出，2019 年全球晶圓廠設(shè)備支出總額可能達(dá)到 557.8 億美元，相較 2018 年減少 7.8%。這樣的數(shù)字較 2018 年 9 月時提出的675億美元，成長表現(xiàn)已經(jīng)從之前 14%下調(diào)到當(dāng)前 9%。其中，在存儲器產(chǎn)業(yè)的部分，制造商的資本支出預(yù)計將下降 19%，而不是原本預(yù)計的成長 3%。而在 DRAM 產(chǎn)業(yè)方面，估計 2019 年將下降 23%，NAND Flash 的部分則是下滑 13%。

此外，針對半導(dǎo)體大國韓國，2019年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出，預(yù)計將達(dá)到 120.87 億美元，較 2018 年下降 34.7%，這將有可能引發(fā)整體產(chǎn)業(yè)的衰退潮。至于，在中國半導(dǎo)體方面，2018年資本支出雖然成長 84.3%，但預(yù)計 2019 年將下降 2%，金額將達(dá)到 119.57 億美元。

另外，預(yù)計中國***地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出將達(dá)114.38 億美元，較 2018 年成長 24.2%，這方面歸功于臺積電在 7 納米以下新的先進制程投資所造成結(jié)果。至于美國存儲器大廠美光，則將成長 28%，金額達(dá)到 105 億美元。

而 SEMI 表示，為了因應(yīng) 2019 年面臨的半導(dǎo)體景氣逆風(fēng)，韓國三星電子可能會減少對平澤的 P1 廠和 P2 廠設(shè)施，以及華城的 S3 廠的相關(guān)資本投資。至于，一心想擴展 DRAM 產(chǎn)業(yè)的韓國另一家半導(dǎo)體大廠 SK 海力士，預(yù)計將放慢DRAM 技術(shù)發(fā)展的速度。而除了韓國半導(dǎo)體公司之外，SEMI 還表示，格芯也正在重新考慮其在成都新建廠的計劃。還有中芯國際以及聯(lián)華電子目前也正在進行相關(guān)資本支出延遲的規(guī)劃。