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介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)量方法-接線圖

電力預(yù)防性試驗(yàn)設(shè)備技術(shù) ? 2019-07-30 13:53 ? 次閱讀


1.正接法:

當(dāng)被試設(shè)備的低壓測(cè)量端或二次端對(duì)地絕緣時(shí),采用該方法。

將紅色專用高壓電纜從儀器后側(cè)的HVx端上引出 ,高壓屏蔽線皮接被試設(shè)備高壓端。

將黑色專用低壓電纜從儀器面板上的Cx端引出 ,低壓芯線接被試設(shè)備低壓端L(見圖11);低壓屏蔽線接被試設(shè)備屏蔽端E。(試品無屏蔽端則懸空)HVx及Cx的芯線與屏蔽線之間嚴(yán)禁短接,否則無法取樣,無法測(cè)量。

2.反接法:

當(dāng)被試設(shè)備的低壓測(cè)量端或二次端對(duì)地?zé)o法絕緣,直接接地時(shí),采用該方法。

將紅色專用高壓電纜從儀器后側(cè)的HVx端上引出,高壓芯線接被試設(shè)備高壓端;低壓端接地(見圖12);此時(shí)的CX輸入線懸空。

注意:HVx的芯線與屏蔽線嚴(yán)禁短接,否則無取樣,無法測(cè)量。

blob.png

圖11 正接法 圖12 反接法

3.CVT 自激法測(cè)量(母線不接地)

原理接線圖:

blob.png

實(shí)際接線圖

(1)測(cè)C2:接線見圖13

A:接線盒內(nèi)末端對(duì)地打開,二次接線全部懸空,注意做好記錄,做完測(cè)試后還原。

B:開介損儀總電源和內(nèi)部高壓允許開關(guān)。

C:將光標(biāo)移至“聯(lián)接方式”按“確認(rèn)”鍵。按“↑”或“↓”鍵,選為“CV”。按“退出”鍵。

D:將光標(biāo)移至“測(cè)量電壓”選為1KV,按“退出”鍵;將光標(biāo)移至“開始測(cè)量”處,按“確認(rèn)”鍵,開始測(cè)量等待顯示結(jié)果。顯示結(jié)果出來后,若需打印結(jié)果,按“確認(rèn)”鍵。

(2)測(cè)C1:接線見圖14,基本操作同測(cè)C2。

注意:只有在CVT測(cè)試模式下測(cè)C1、C2;在正接或反接法下會(huì)損壞CVT!

blob.png

應(yīng)注意高壓線應(yīng)懸空不能接觸地面,否則其對(duì)地附加介損會(huì)引起誤差,可用細(xì)電纜連接高壓插座與CVT 試品并吊起來,另外考慮C2 或C1 與內(nèi)Cn 串聯(lián)分壓效應(yīng),其電容量可按下式校準(zhǔn):

blob.png

其中,Cc 為校準(zhǔn)經(jīng)驗(yàn)值包含了Cn 及高壓線對(duì)地電容的影響其值可取110pF。

4. 小電容試品的接線

對(duì)于小電容,空氣濕度較大時(shí),其tgδ受其表面狀態(tài)影響,介損測(cè)量值異常且不穩(wěn)定。此時(shí)可采用屏蔽環(huán)吸收試品表面泄漏電流,其屏蔽電極在正接法時(shí)接地,反接法時(shí)接Cx的屏蔽層;此方法有可能改變被試設(shè)備內(nèi)部的電場(chǎng)分布而影響tgδ;標(biāo)準(zhǔn)電容器和標(biāo)準(zhǔn)介損器均采用此接法。

作者:鼎升電力 www.kv-kva.com 轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明


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