晶圓代工大廠聯電日前遭美國司法部大動作起訴指控與福建晉華共謀竊取美光商業機密，引發各界關注。聯電9日深夜正式發布聲明表示，對于任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，將全力并積極地自我防衛。以下為聲明全文：

聯華電子是國際公認、中國***起家的半導體公司。38年來，在全球的供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達14納米。對比之下，美光公司爭執所涉及的DRAM技術，是32納米，在聯華電子的計劃啟動當時，已經是落后幾個世代的技術。

社會上有一個錯誤的印象，認為聯華電子沒有任何DRAM的知識或經驗，這不是事實，而且是極端的不實。從1996年到2010年，聯華電子積累了近15年制造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上，聯華電子內部DRAM團隊人數，超過150人。聯華電子是一個有組織的企業機構，借由堅實而穩定的團隊，掌握并保存了豐富的DRAM知識和經驗。舉個例子來說，現任聯華電子共同總經理之一的簡山傑，是1996年時開發DRAM產品的RAM工藝開發經理。

另一個實例則是：Alliance公司是1996年第一個獲得聯華電子公司授權合作DRAM伙伴之一，該公司是一家總部位于美國的DRAM芯片設計公司，借由聯華電子的技術進行DRAM制造。除了傳統的DRAM技術外，2009年聯華電子更成功開發了屬于自己的嵌入式DRAM工藝技術，這比制造標準型DRAM的過程要復雜得多。

聯華電子同意與晉華公司聯合開發DRAM工藝，這是一個與聯華電子晶圓專工服務完全分開的單獨項目，在做成決策當時，只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易，已經向***當局正式提出申請，主管機關亦已于2016年4月核準整個項目。值得一提的是，那時還未聽說有美中貿易戰。

自從聯華電子開始為晉華公司開發DRAM工藝技術，履行合約義務，聯華電子已經花費了新臺幣數億元。盡管這個專案的研發團隊成員接近300人，但只有不到10%的人曾在美光公司工作過。

相反于美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象，聯華電子的DRAM技術基礎里的元件設計，是完全不同于美光公司的設計。簡而言之，聯華電子開發的記憶胞架構是3x2布局的儲存單元，這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。

另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了25納米的DRAM技術。事實是，美光公司在2010年初，購買了中國***地區的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25納米DRAM技術。

聯華電子不要「在報刊上」進行這場訴訟，但聯華電子要向我們的客戶和投資人保證，聯華電子對于任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，將全力并積極地自我防衛。