集微網(wǎng)消息 在半導(dǎo)體分立器件行業(yè)，盡管中國已經(jīng)發(fā)展成為全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場，但就半導(dǎo)體分立器件的供給而言，目前全球半導(dǎo)體分立器件主要以美日歐企業(yè)為主，高端市場幾乎被這三大主力壟斷。

2010年以來，國務(wù)院及各部委多次頒布了鼓勵半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的政策，國家政策的支持將加速我國高端功率器件的發(fā)展進(jìn)程，加速 IGBT、MOSFET 等高端功率器件芯片生產(chǎn)工藝的研制和開發(fā)進(jìn)程。

未來，我國必然會出現(xiàn)若干家躋身國際一線梯隊的功率半導(dǎo)體企業(yè)，在中國功率半導(dǎo)體廠商中，揚杰科技、華微電子已經(jīng)宣布公司MOS管、IGBT成功研制并量產(chǎn)，而臺基股份也在近日發(fā)布公告，擬合作設(shè)立 IGBT 項目公司。

9月21日，捷捷微電發(fā)布披露定增預(yù)案，擬非公開發(fā)行不超3500萬股,募資不超9.11億元,用于電力電子器件生產(chǎn)線建設(shè)項目;捷捷半導(dǎo)體有限公司新型片式元器件、光電混合集成電路封測生產(chǎn)線建設(shè)項目;補(bǔ)充流動資金。

捷捷微電是國內(nèi)晶閘管行業(yè)的龍頭企業(yè)，除了逐漸穩(wěn)固現(xiàn)有產(chǎn)品的優(yōu)勢地位之外，捷捷微電積極布局相應(yīng)的 MOSFET、IGBT 及第三代半導(dǎo)體器件。

電力電子器件生產(chǎn)線建設(shè)項目的主要產(chǎn)品為電力電子器件功率 MOSFET、IGBT、快恢復(fù)二極管（FRD）、可控硅（SCR）等。

新型片式元器件、光電混合集成電路封測生產(chǎn)線建設(shè)項目的主要產(chǎn)品包括貼片式壓敏電阻、貼片式二極管和交、直流光電耦合混合電路等，封裝形式有 SMX 系列產(chǎn)品、引線插件型 Leaded，表面貼裝型 SMD，光電混合集成式厚膜保護(hù)模塊 Module 及保護(hù)電路 Protect IC 等。

捷捷微電表示，電力電子器件生產(chǎn)線建設(shè)項目和捷捷半導(dǎo)體有限公司新型片式元器件、光電混合集成電路封測生產(chǎn)線建設(shè)項目的實施將進(jìn)一步豐富企業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，深化現(xiàn)有領(lǐng)域的應(yīng)用深度，拓寬應(yīng)用廣度。項目實施后，電力電子器件產(chǎn)品線和新型片式元器件、光電混合集成電路產(chǎn)品線將覆蓋更廣的領(lǐng)域，形成多領(lǐng)域、廣覆蓋的多樣化優(yōu)勢，進(jìn)一步增加企業(yè)利潤來源。

此外，捷捷微電目前處于快速成長期，公司多年來形成的累計利潤已陸續(xù)投入到公司發(fā)展中，但是隨著公司品牌影響力的深化，公司市場份額增長較快，未來兩三年之后客戶不斷增加的需求與公司產(chǎn)能之間的矛盾將成為公司發(fā)展中的主要矛盾。項目的實施，有利于解決產(chǎn)能限制，擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋率，滿足業(yè)務(wù)擴(kuò)張需求。