女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

96層QLC技術(shù)的升級,NAND Flash成本下滑

SwM2_ChinaAET ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-09-25 14:38 ? 次閱讀

就在今天,東芝內(nèi)存與西部數(shù)據(jù)一起為日本三重縣四日市的一座Fab 6半導體工廠與內(nèi)存研發(fā)中心舉行了慶祝儀式。該工廠是一座Fab 6工廠,專門用來制造3D閃存,由東芝與西部數(shù)據(jù)合作打造,該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進一步提速。

不止東芝和西部數(shù)據(jù),幾大主要的Flash原廠近來在3D NAND領(lǐng)域都摩拳擦掌,意圖搶占先機。去年,三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D NAND技術(shù)主要是提升到64層/72層3D NAND量產(chǎn),并逐步提高3D NAND生產(chǎn)比重,加速2D NAND向3D NAND過渡,今年幾大Flash原廠主要完成向96層QLC技術(shù)的升級,NAND Flash成本下滑,產(chǎn)量增加。

東芝/西部數(shù)據(jù)

東芝西數(shù)在全球NAND市場上的份額合計超過40%,而主要生產(chǎn)基地就在日本。雙方都十分看好3D閃存市場的發(fā)展,認為未來幾年需求將持續(xù)增長,因此東芝于去年2月份開始建造Fab 6工廠,總投資5000億日元,折合約45億美元,在這起投資中,收購了閃迪公司的西數(shù)公司盡管與東芝公司因為NAND業(yè)務出售一事鬧的不開心,但雙方在晶圓廠投資上并沒有撕破臉,而這次新工廠落成也意味著兩家公司早就相逢一笑泯恩仇了。另外,除了Fab 6晶圓廠之外,東芝、西數(shù)還在工廠附近建設(shè)了新的NAND閃存研發(fā)中心,今年3月份已經(jīng)投入運營。

東芝、西數(shù)的Fab 6工廠本月初就已經(jīng)開始生產(chǎn)3D NAND閃存了,重點就是新一代的BiCS 4技術(shù)96層堆棧3D閃存,其中有TLC類型的閃存,但新一代的QLC閃存無疑也是Fab 6工廠的重點,在這方面,東芝/西數(shù)選擇的BiCS技術(shù)路線跟其他家的NAND閃存都不同,一直以來容量密度都是業(yè)界最好水平之一,這次的QLC閃存核心容量是1.33Tb,比之前美光、英特爾公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC閃存,東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存,一顆閃存的容量就有2.66TB,大家還記得東芝之前發(fā)布的RC100系列硬盤嗎,它使用的就是單芯片封裝,一顆閃存最大容量才480GB,現(xiàn)在QLC閃存的幫助下單芯片封裝實現(xiàn)了2.66TB的容量,是之前的5倍多。

東芝、西數(shù)的QLC閃存今年下半年已經(jīng)陸續(xù)出樣,年底可能會有QLC硬盤商業(yè)化,不過大規(guī)模量產(chǎn)及上市還要等到2019年。

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會上表示:“短期內(nèi)的價格波動是供需平衡的體現(xiàn),但我們正在解決長期需求問題,這些需求受到強大的智能手機和數(shù)據(jù)中心所帶來的數(shù)據(jù)存儲量增長的推動。”

三星

2018年7月份,三星電子宣布開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存,內(nèi)部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存存儲單元,每單元可保存3比特數(shù)據(jù),單Die容量達56Gb(32GB)。它還業(yè)內(nèi)首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面,在存儲與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸率高達1.4Gbps,比上代64層堆疊提升了40%,同時電壓從1.8V降至1.2V,能效大大提高。

三星的第五代V-NAND技術(shù)在性能方面其實也有不小的改進,它采用的Toggle DDR 4.0接口運行速率已經(jīng)從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps,同時工作電壓也從1.8V降低至1.2V,可以抵消掉接口提速帶來的能耗上升。此外讀寫延遲也有所下降,其讀取延遲已壓縮到50微秒,寫入延遲降低30%達到500微秒。

關(guān)于這一代3D NAND的制程技術(shù)改進細節(jié)三星并沒有透露多少,目前可知的是每個存儲層的厚度已經(jīng)削薄了20%,以及文首處提及的30%產(chǎn)能提升。三星首批第五代3D NAND顆粒為256Gb TLC,是消費市場和手機存儲里常見的規(guī)格,對它來說優(yōu)先考慮需求量大的市場是必然的選擇,至于供應服務器和數(shù)據(jù)中心SSD的1Tb QLC NAND之后再說。

美光

美光曾在2018年第三季度的財報中明確表示,確定在2018下半年96層堆疊的3D NAND將批量出貨。全新的96層3D NAND技術(shù)已經(jīng)是第三代技術(shù),而且美光也明確表示,將開發(fā)超過120層的第四代3D NAND。而且全新的采用96層 3D NAND的固態(tài)硬盤成本也會進一步下降。

可是至今美光都未正式發(fā)布第三代96層堆疊3D TLC NAND閃存顆粒,不過在今年6月份的臺北電腦展上,聯(lián)蕓和慧榮兩家主控廠商按耐不住,展示了搭配美光閃存顆粒的SSD原型。

SK海力士

2017年底,SK海力士開始正式研發(fā)96層堆疊的3D NAND。SK海力士曾投資15萬億韓元(約135億美元)在清州建設(shè)M15工廠,主要生產(chǎn)72層和96層3D NAND閃存。本月早些時候,外媒報道,M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。據(jù)悉,這一完工日期比原計劃提前了近6個月。但疑似受到最近韓國政經(jīng)情勢影響,SK海力士決定將落成典禮延至10月初舉行。M15工廠建成后,SK海力士計劃從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存。

從目前來看,韓國、日本和美國的半導體存儲器公司在96層3D NAND閃存的競爭將進一步加劇。而在國內(nèi),中國的長江存儲在3D NAND閃存方面也已經(jīng)取得了重要突破。紫光集團聯(lián)席總裁刁石京曾透露,中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)。此外,64層3D NAND閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進行,計劃2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 東芝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    1436

    瀏覽量

    122354
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1836

    瀏覽量

    115743
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1719

    瀏覽量

    137825

原文標題:【業(yè)內(nèi)熱點】96層3D NAND閃存爭斗加劇

文章出處:【微信號:ChinaAET,微信公眾號:電子技術(shù)應用ChinaAET】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

    干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案,GD5F1GM9系列的面世將為SPI
    的頭像 發(fā)表于 04-16 13:50 ?425次閱讀

    SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應對市場下滑

    近日,據(jù)韓媒最新報道,全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴峻挑戰(zhàn),導致價格連續(xù)四個月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應對這一不利局面,各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施,旨在平衡市場供求關(guān)系,進而穩(wěn)定
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:43 ?602次閱讀

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    問題,再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心!   SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使
    發(fā)表于 01-15 18:15

    【半導體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    技術(shù)方案。   三、NAND Flash分類   NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)
    發(fā)表于 12-17 17:34

    關(guān)于SD NAND 的概述

    Flash驅(qū)動,降低了工程師的開發(fā)難度。   減少CPU負荷:將針對NAND Flash的操作交由SD NAND處理,減輕了CPU的負擔,提高了整體效率。   5. 與其他存儲
    發(fā)表于 12-06 11:22

    三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀元

    三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項前沿技術(shù)突破,標志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量
    的頭像 發(fā)表于 09-23 14:53 ?904次閱讀

    三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND

    三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先,也預示著
    的頭像 發(fā)表于 09-12 16:27 ?783次閱讀

    DM368 NAND Flash啟動揭秘

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DM368 NAND Flash啟動揭秘.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-27 09:22 ?0次下載
    DM368 <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>啟動揭秘

    打開NAND Flash接口規(guī)范

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《打開NAND Flash接口規(guī)范.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-21 12:21 ?0次下載

    NAND Flash與其他類型存儲器的區(qū)別

    NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器,具有多個顯著優(yōu)點,這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應用。以下是對NAND
    的頭像 發(fā)表于 08-20 10:24 ?1224次閱讀

    NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

    NAND Flash作為非易失性存儲技術(shù)的重要一員,其擦寫次數(shù)是評估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細介紹NAND Flash的擦寫次數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 07-29 17:18 ?5208次閱讀

    NAND Flash和NOR Flash哪個更好

    在討論NAND Flash和NOR Flash哪個更好時,我們需要從多個維度進行深入分析,包括它們的技術(shù)特性、應用場景、成本效益以及未來發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 07-29 16:59 ?2399次閱讀

    蘋果將在iPhone中運用QLC NAND閃存技術(shù)

    據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導入一項名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項技術(shù)的實際投入使用,預
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:50 ?803次閱讀

    NAND Flash與NOR Flash:壞塊管理需求的差異解析

    NOR FlashNAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù),它們在存儲單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 14:25 ?3118次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>與NOR <b class='flag-5'>Flash</b>:壞塊管理需求的差異解析

    三星和鎧俠持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

    AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動著存儲器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下,全球存儲巨頭如
    的頭像 發(fā)表于 07-05 15:39 ?1032次閱讀