單結晶體管的特性舉及簡單測試,Single-junction transistors
單結晶體管的特性舉及簡單測試,Single-junction transistors
關鍵字：單結晶體管的特性舉及簡單測試
單結晶體管的特性舉及簡單測試
圖1為單結晶體管的特性檢測電路。在兩基極之間外加固定的正向偏壓VBB，調節發射極的電壓VE，根據IE與VE的變化關系，可以繪出單結晶體管的伏安特性曲線如圖2。
當VE=0時，PN結反偏截止，只有微小的反向電流IEO流過發射極，隨著VE的升高，當VE=ηVBB時IE=0。VE續升高，IE將變為正向，但PN結仍未導通，故正向的漏電流也很小，在P點左側單結晶體管處于截止區。
VE繼續升高，當VE=ηVBB+VD時，PN結由截止變為導通，這個轉折點稱為峰點P(VP，IP)，對應的發射極電壓稱為峰點電壓VP(VP=ηVBB+VD)，發射極電流稱為峰點電流IP。IP代表了使單結晶體管導通所需的最小電流。PN結導通后，P區的空穴大量注入N區，使E與B1之間的空穴濃度增加，導電性能增強，RB1的阻值減小，隨著IE的增加，VE逐漸減小，單結晶體管呈現出明顯的負阻特性。從P到V這一段為單結晶體管特性的負阻區。
隨空穴的注入量達到一定程度，E與B1之間的基區由電中性轉變為正電性，給空穴的進一步注入增加了阻力，相當于RB1不再下降，反而增大了，這個轉折點稱為谷點V(VV，Iv)此后，VE將隨IE的增加而緩慢增加，單結晶體管進入飽和區。谷點電壓是維持單結晶體管導通的最小發射極電壓，VE
1．單結晶體管極間電阻的測試
發射極開路時，極間電阻RBB基本上是一個常數，用萬用表的Rx1k或Rx100擋測量即可，國產的單結晶體管的RBB值在3~10kΩ范圍內。測量發射極和兩基極間的正向電阻，用萬用表的電阻擋，黑表筆接發射極，紅表筆分別接兩基極即可。測量發射極和兩基極間的反向電阻，同樣把萬用表調到電阻擋，紅表筆接發射極，黑表筆分別接兩基極，由于單結晶體管反向電流非常小，所以測得結果應為∞，否則證明管子質量不好。
2.單結晶體管負阻特性的檢測
用萬用表的Rx1或Rx100擋，黑表筆接發射極，紅表筆接第一基極，這就相當于在發射極和第一基極之間加上了一個固定的1.5V的電壓VE，在第二基極與第一基極之間外加+4.5V電源，萬用表指示應為∞，表示單結晶體管性能良好。若指針發生偏轉，表示管子無負阻特性或分壓比值太低，不能正常使用。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
模電童詩白第四版
本書主要介紹了電信號，電子信息系統，半導體基礎知識，半導體二極管，晶體三極管，場效應管，單結晶體管，集成電路中的元件，基本放大電路，多級放大電路，集成運算放大電路，放大電路的頻率效應，
發表于 03-27 10:42
如何測試晶體管的性能 常見晶體管品牌及其優勢比較
如何測試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件，其性能測試對于確保電路的可靠性和穩定性至關重要。以下是測試
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應用實例
晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導體器件，能夠對電流進行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導體材料的PN結特性。PN結由P型半導體和N型半導體組成，它們在接觸時形成一個勢壘，阻止
結型場效應晶體管的工作原理和特性
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源器件，其工作原理和特性對于理解其在電子電路中的應用至關重要。以下將詳細闡述JFET的工作原理和
單結晶體管的作用和工作區域
單結晶體管（Uni-Junction Transistor, UJT）作為一種特殊的半導體器件，在電子電路中扮演著重要角色。以下將詳細闡述單結晶體管的作用、工作區域以及相關的工作原理和應用領域。
單結晶體管和晶閘管的區別
單結晶體管（Unipolar Junction Transistor，簡稱UJT）和晶閘管（Thyristor）在電子學中都是重要的半導體器件，但它們在結構、工作原理、性能特點以及應用領域等方面存在顯著的區別。以下將詳細闡述這兩者的區別。
單結晶體管的引腳判斷方法
單結晶體管（Unipolar Junction Transistor，簡稱UJT）的引腳判斷是電子電路設計和維修中的一個重要環節。正確地識別單結晶體管的引腳對于確保其正常工作至關重要。以下將詳細介紹
單結晶體管和三極管有什么區別
單結晶體管（Unipolar Junction Transistor，簡稱UJT）和三極管（Triode，通常指雙極型晶體管BJT）在電子學領域中都是重要的半導體器件，但它們在結構、工
單結晶體管的主要應用場景
單結晶體管（Unipolar Junction Transistor，簡稱UJT）作為一種具有獨特負阻特性和開關特性的三端半導體器件，在電子電路中具有廣泛的應用場景。以下將詳細闡述
單結晶體管的工作原理和伏安特性
單結晶體管（Unipolar Junction Transistor，簡稱UJT），又稱基極二極管或單晶二極管，是一種具有獨特工作原理和伏安特性
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
什么是單極型晶體管？它有哪些優勢？
能的影響，而非像雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）那樣通過電流控制來實現信號的放大或開關功能。
場效應晶體管和雙極性晶體管有什么區別
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT，也稱雙極性結型晶體管）是兩
PNP晶體管符號和結構 晶體管測試儀電路圖
PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應，PNP晶體管的結構特點在于其三個不同的半導體區域：正極（P型）、負極（N型）、正極（P型
工商網監
評論