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預(yù)計閃存占資本支出的最大份額，而DRAM資本支出今年以最高的速度增長。

IC Insights預(yù)測，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)一年來第一次在資本支出上花費(fèi)超過1000億美元。這1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9％，比2016年增長了38％。

圖1顯示，超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計用于內(nèi)存生產(chǎn)-主要是DRAM和閃存-包括對現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設(shè)施的升級。總的來說，預(yù)計今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53％。存儲設(shè)備的資本支出份額在六年內(nèi)大幅增加，幾乎翻了一番，從2013年的27％（147億美元）增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53％（540億美元），相當(dāng)于2013-2018復(fù)合年增長率為30％。

圖1

在所顯示的主要產(chǎn)品類別中，預(yù)計DRAM/SRAM的支出增幅最大，但預(yù)計閃存占今年資本支出的最大份額（圖2）。預(yù)計2018年DRAM/SRAM部門的資本支出將在2017年強(qiáng)勁增長82％后出現(xiàn)41％的增長。預(yù)計2017年閃存的資本支出將在2017年增長91％后增長13％。

圖2

經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加，現(xiàn)有存在的主要問題是，高水平的支出是否會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和價格下滑。記憶市場的歷史先例表明，過多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨后的價格疲軟。三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數(shù)據(jù)/SanDisk和XMC/長江存儲技術(shù)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量（以及新的中國內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司進(jìn)入市場），IC Insights認(rèn)為，未來3D NAND閃存市場需求過高的風(fēng)險正在高漲且不斷增長。

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