近日，半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)發(fā)布了2018年第2季財報。根據(jù)財報顯示，今年二季度ASML營收增長了19.9%至27.40億歐元，高于此前預(yù)期的25-26億歐元；毛利率達43.3%，雖然低于第一季度的48.7%，但高于去年同期的42.9%；凈利潤年增4.8%(季增8.2%)至5.84億歐元。

作為全球最大的光刻機制造商，ASML的營收也主要來自于銷售光刻機。根據(jù)財報顯示，今年二季度ASML一共賣出了58臺光刻機。27.4億歐元的營收中，機臺銷售收入高達20.86億歐元，平均下來每臺售價3600萬歐元。當然對于營收貢獻最大的還是ASML最新的可用于7nm/5nm工藝的極紫外(EUV)光刻機，目前全球僅ASML能夠供應(yīng)。

可以看到，2018年第二季EUV光刻機售出了7臺，而此前一季度卻僅有1臺。

而ASML二季度營業(yè)利潤率的下降，恰恰是因為最新的EUV機器出貨比之前多了。因為EUV光刻機前期研發(fā)投入較大，單臺雖然售價高達1.1億美元，但是成本也很高，利潤率相對并不高。

對于三季度的展望，ASML預(yù)估營收將達27-28億歐元(中間值為27.5億歐元)、毛利率預(yù)估約為47-48%。值得一提的是，ASML上個季度披露的訂單已經(jīng)都排到了2019年之后了。

另外值得注意的是，今年二季度，ASML的系統(tǒng)設(shè)備銷售額有19%是來自中國大陸市場，19%來自美國市場，18%來自中國***。當然，為ASML營收貢獻最大的還是韓國，占比高達35%。作為對照，2018年一季度韓國、中國大陸、中國***占ASML系統(tǒng)設(shè)備銷售額比重分別為51%、20%、3%。

從ASML銷售的半導(dǎo)體設(shè)備的用途可以看到，二季度用于存儲領(lǐng)域的占比為54%，用于邏輯芯片的占比為45%，而在一季度，占比則分別為74%和26%。

從一二季度的ASML的系統(tǒng)設(shè)備銷售額市場占比變化（韓國占比大幅下滑，***占比大幅提升），以及一二季度的用于存儲領(lǐng)域和邏輯芯片領(lǐng)域的設(shè)備占比變化（存儲領(lǐng)域設(shè)備占比減少、邏輯芯片領(lǐng)域設(shè)備占比提升）不難看出，導(dǎo)致這一變化的主要原因，可能是由于二季度三星從ASML采購的用于存儲芯片的設(shè)備減少，同時二季度隨著臺積電7nm量產(chǎn)，以及下半年三星7nm的量產(chǎn)，必然會增加對于ASML光刻機設(shè)備的采購。特別對于臺積電來說，7nm的蘋果的A12芯片必須在三季度前開始交付，所以二季度蘋果A12芯片就應(yīng)該在量產(chǎn)當中了。另外，7nm華為海思麒麟980相信也將很快會量產(chǎn)。

資料顯示，三星的7nm工藝采用了EUV技術(shù)，預(yù)計今年下半年量產(chǎn)。而臺積電的7nm則是采用的是傳統(tǒng)光刻技術(shù)，量產(chǎn)上能夠奪得先機，而后續(xù)的改良版本可能會用到EUV光刻機。

ASML CEO Peter Wennink也表示，2018年第二季EUV光刻機出貨量為4臺，較原先預(yù)期多出1臺。全年度出貨量預(yù)估可達20臺。ASML目前規(guī)劃2019年EUV出貨量至少為30臺。

需要注意的是，這里的出貨是指正式交付的設(shè)備，而EUV光刻機從下單到交付可能需要1年以上的周期，而臺積電、三星此前為了拿到EUV的產(chǎn)能，很早就已經(jīng)下單了。二季度交付的4臺EUV光刻機很可能也被這兩家所瓜分。

值得一提的是，上面的資料也顯示，今年二季度ASML收到了1臺EUV光刻機的訂單。而這筆訂單應(yīng)該就來自大陸晶圓代工龍頭中芯國際，預(yù)計將于2019年年初交付。

另外，今年二季度國內(nèi)存儲制造龍頭企業(yè)——長江存儲從ASML購買的第一臺光刻機開始進廠。華虹集團旗下上海華力集成電路制造有限公司建設(shè)和營運的12英寸先進生產(chǎn)線建設(shè)項目（“華虹六廠”）首臺工藝設(shè)備光刻機（來自ASML）也正式進廠。

而隨著接下來中芯國際28nm工藝占比的提升以及14nm工藝的量產(chǎn)，還有長江存儲以及國內(nèi)其他新建的大批晶圓廠（有消息稱目前國內(nèi)在建的晶圓廠高達30座），對于ASML光刻機的需求可能將會出現(xiàn)井噴。屆時中國市場對于ASML營收的貢獻占比或?qū)⑦M一步提升。

雖然，借助ASML先進的光刻機設(shè)備，國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展將開始進入了一個新的階段。但是我們?nèi)匀恍枰宄恼J識到我們在上游半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的缺失，特別是在高端的光刻機領(lǐng)域的空白。