功率半導(dǎo)體元件或簡稱功率元件，是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心；主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等，并同時可具有節(jié)能的功效，因此功率元件廣泛應(yīng)用于移動通訊、消費電子、新能源交通等眾多領(lǐng)域。

其中，金屬氧化半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET）自1980年即進(jìn)入電子商業(yè)應(yīng)用，主要用在PC、NB等消費性電子的主機板跟電路板上，屬中低壓市場，在900V以上的高壓領(lǐng)域較無用武之地，而絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）的發(fā)明，則滿足大功率化與高頻化的需求，自1988年以來已進(jìn)展至第六代產(chǎn)品，成為目前高壓電子產(chǎn)品之主流應(yīng)用。

功率元件全球市場規(guī)模約140億美元，占全球半導(dǎo)體市場的3.5％，其中MOSFET規(guī)模約68億美元、IGBT約12.6億美元，占功率半導(dǎo)體元件分別為48％與9％；根據(jù)IEK調(diào)查指出，近年受惠電動汽車與油電混和車快速發(fā)展、汽車電子化比重提升以及手機快充、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）新應(yīng)用興起，功率元件在提高能源轉(zhuǎn)換效率上占據(jù)重要地位，產(chǎn)業(yè)需求逐漸提升；而未來電動車半導(dǎo)體的需求為傳統(tǒng)汽車的兩倍以上，預(yù)期MOSFET等功率元件用量將大幅提升。

MOSFET與IGBT市場過去皆呈大廠寡占的態(tài)勢，英飛凌、安森美與瑞薩占MOSFET市場近50％，IGBT市場英飛凌、三菱電機與富士電機三家市占率更達(dá)61％；此類IDM垂直整合大廠以英飛凌為首，均優(yōu)先將產(chǎn)能給毛利率較高的新產(chǎn)品，相繼退出中低壓MOSFET一般消費性產(chǎn)品線，導(dǎo)致MOSFET供需缺口擴大，使臺廠自去年第2季開始即逐漸感受到轉(zhuǎn)單效應(yīng)，預(yù)料這股缺貨風(fēng)潮恐將持續(xù)下去。

在晶圓供給方面，MOSFET與IGBT產(chǎn)品考量8吋光罩費用僅12吋的1/10，加以功率元件還有不漏電的要求，尚無法做到尺寸微縮等原因，***與大陸的MOSFET功率元件IC設(shè)計公司都投產(chǎn)在8吋晶圓廠；然由于指紋辨識、影像感測器（CIS）、電源管理（ICPMIC）等IC產(chǎn)品，受到資安需求提升，對8吋晶圓需求亦增加，致使全球8吋晶圓投片量提升。

MOSFET市場的供需失衡，讓臺廠迎來多年以來難得的成長契機，上游IC設(shè)計方面，大中、杰力在PC市場與消費性電子產(chǎn)品較具競爭優(yōu)勢，預(yù)計下半年供需仍吃緊態(tài)勢下，對下游的議價能力轉(zhuǎn)強，有助其獲利表現(xiàn)；在晶圓生產(chǎn)方面，世界先進(jìn)8吋產(chǎn)能滿載，加上電源管理營收占比持續(xù)提升改善產(chǎn)品組合，未來營運展望樂觀。

此外，隨著氮化鎵（GaN）相關(guān)分離式元件的制程研發(fā)，對IGBT等高壓市場需求增強，強茂預(yù)期未來能搭上IGBT代工潮，且積極導(dǎo)入自動化并進(jìn)行車規(guī)認(rèn)證，目前產(chǎn)能滿載，2018年預(yù)估產(chǎn)品平均漲幅15～20％，后續(xù)成長可期；MOSFET及IGBT等產(chǎn)品雖早已應(yīng)用于電子產(chǎn)品，然近年市況匹變，需求大增，將迎來一場功率半導(dǎo)體元件的逆襲。