www.eleadtech-global.com

半導體傳統(tǒng)封裝與先進封裝的分類及特點

一、傳統(tǒng)封裝技術(shù)（成熟工藝，結(jié)構(gòu)相對簡單）
1、雙列直插封裝（DIP，Dual In-line Package）
?特點：引腳從封裝兩側(cè)直插而出，便于手工焊接和維修，成本低；但引腳間距大（如 2.54mm），集成度低，占用 PCB 面積大。

?應(yīng)用：早期邏輯芯片、存儲器、中小規(guī)模集成電路。

2、小外形封裝（SOP，Small Outline Package）
?特點：封裝體薄，引腳呈 “L” 型向外延伸，體積比 DIP 小，引腳間距縮小至 1.27mm 或更小，集成度提升。

?衍生類型：

?薄型小外形封裝（TSOP，Thin SOP）：厚度更薄，適用于內(nèi)存芯片（如 DRAM）。

?收縮型小外形封裝（SSOP，Shrink SOP）：引腳間距更小（如 0.65mm），進一步縮小體積。

?應(yīng)用：消費電子、汽車電子中的中等集成度芯片。

3、四面貼裝封裝（QFP，Quad Flat Package）
?特點：四邊均有引腳，呈 “翼型” 向外展開，引腳數(shù)量可達數(shù)百個，集成度較高，適用于高性能芯片。

?衍生類型：

?薄型 QFP（TQFP）：厚度減薄至 1.0mm 以下。

?塑料 QFP（PQFP）：采用塑料封裝，成本更低。

?應(yīng)用：早期微處理器、ASIC 芯片、數(shù)字信號處理器（DSP）。

4、針柵陣列封裝（PGA，Pin Grid Array）
?特點：引腳以陣列形式分布在封裝底部，呈針狀插入 PCB 插座，引腳數(shù)量多（如數(shù)百至數(shù)千），散熱和電氣性能較好。

?應(yīng)用：早期高性能處理器（如 Intel Pentium 系列）、大型計算機芯片。

真空壓力除泡系統(tǒng)

二、先進封裝技術(shù)（高集成度、三維互連、異構(gòu)集成）
1、倒裝芯片封裝（Flip-Chip）
?特點：芯片面朝下，通過凸點（Bump）直接焊接到基板上，互連距離短，信號傳輸速度快，熱性能好，集成密度高。

?關(guān)鍵工藝：底部填充（Underfill）用于緩解芯片與基板的熱應(yīng)力差異，提高可靠性。

?應(yīng)用：高端處理器（如 CPU、GPU）、射頻芯片、圖像傳感器。

2、球柵陣列封裝（BGA，Ball Grid Array）
?特點：封裝底部以焊球陣列代替引腳，焊點分布更均勻，可承載更多 I/O 接口，電路板布局密度高，信號完整性好。

?衍生類型：

?倒裝 BGA（FC-BGA）：結(jié)合倒裝芯片技術(shù)，進一步縮短互連距離。

?陶瓷 BGA（CBGA）：散熱性能優(yōu)異，適用于高可靠性場景。

?應(yīng)用：智能手機處理器、網(wǎng)絡(luò)芯片、FPGA。

3、晶圓級封裝（WLP，Wafer Level Package）
?特點：在晶圓切割前完成封裝，封裝尺寸與芯片尺寸接近（Fan-in WLP）或超出（Fan-out WLP），實現(xiàn) “芯片即封裝”，成本低、體積小。

?類型：

?扇入型 WLP（Fan-in WLP）：封裝尺寸≤芯片尺寸，適用于 I/O 較少的芯片（如傳感器、射頻芯片）。

?扇出型 WLP（Fan-out WLP）：通過重布線技術(shù)擴展 I/O，封裝尺寸 > 芯片尺寸，適用于邏輯芯片、存儲器。

?應(yīng)用：手機攝像頭芯片、指紋傳感器、藍牙芯片。

4、三維封裝（3D Packaging）
?特點：通過垂直堆疊芯片，利用 TSV（硅通孔）、微凸點等技術(shù)實現(xiàn)層間互連，集成度極高，功耗和延遲降低。

?類型：

?芯片堆疊（Chip Stacking）：同類型芯片堆疊（如存儲器堆疊）。

?混合鍵合（Hybrid Bonding）：結(jié)合銅 - 銅鍵合與介質(zhì)鍵合，實現(xiàn)高密度互連。

?應(yīng)用：高帶寬存儲器（HBM）、AI 芯片、圖像處理芯片。

5、系統(tǒng)級封裝（SiP，System in Package）
?特點：在單一封裝內(nèi)集成多個芯片（如 CPU、GPU、存儲器、射頻芯片等）和無源器件，實現(xiàn)系統(tǒng)級功能，減小整機體積。

?技術(shù)亮點：異構(gòu)集成（不同工藝芯片混合封裝）、埋置技術(shù)（將芯片嵌入基板）。

?應(yīng)用：物聯(lián)網(wǎng)模塊、穿戴設(shè)備芯片、汽車電子控制單元（ECU）。

6、Chiplet（芯粒）封裝
?特點：將復(fù)雜芯片拆分為多個功能模塊（芯粒），通過先進封裝技術(shù)（如 EMIB、CoWoS）互連，降低設(shè)計成本，提升良率。

?應(yīng)用：高性能計算芯片（如 AMD EPYC、Intel Xeon）、AI 加速器。

7、2.5D 封裝
?特點：通過中介層（Interposer）連接多個芯片，實現(xiàn)水平方向高密度互連，典型如 TSMC CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）、Intel EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）。

?應(yīng)用：高端 AI 芯片、數(shù)據(jù)中心 GPU（如 NVIDIA H100、AMD MI300）。

晶圓級真空貼壓膜系統(tǒng)

三、傳統(tǒng)封裝與先進封裝的核心區(qū)別

先進封裝通過三維結(jié)構(gòu)、異構(gòu)集成和高密度互連技術(shù)，突破了傳統(tǒng)封裝在性能和集成度上的限制，成為半導體行業(yè)應(yīng)對 “摩爾定律放緩” 的關(guān)鍵技術(shù)方向。

審核編輯 黃宇