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紫光國芯亮相瑞芯微第九屆開發者大會

西安紫光國芯半導體 ? 來源:西安紫光國芯半導體 ? 2025-07-26 16:47 ? 次閱讀
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此前,2025年7月17日至18日,以“AIoT 模型創新重做產品”為主題的瑞芯微第九屆開發者大會(RKDC 2025)在福州海峽國際會展中心舉行。作為業界領先的以存儲技術為核心的高科技企業,紫光國芯受邀參展并攜多款先進存儲產品和創新技術方案亮相。

展會現場,重點展出了包括高可靠性車規級LPDDR4/x、DDR4、DDR3在內的多款DRAM芯片、CXL內存擴展主控產品方案,以及行業領先的三維堆疊DRAM(SeDRAM)產品技術方案。

紫光國芯存儲顆粒產品覆蓋PSRAM、SDR至DDR4、LPDDR4/x及LPDDR5/x等全代際產品,容量規格選擇多樣。從最早RK31系列,RK32系列到現在的RK33系列,RK35系列,尤其當前針對RK3588和RK3576等主流明星產品,紫光國芯均有與之匹配的高性能存儲器,提供深度適配的同時還可長期穩定供應。

紫光國芯在存儲器領域創下一個又一個新高,成功研發出多款產品并大規模量產,實現全球銷售,尤其DRAM存儲系列產品填補了國內高端存儲器領域的多項空白。本次展出的LPDDR4/4x(8GB~1GB),專為智能手機、平板電腦、工業、車載、便攜式設備及高性能物聯網終端設計。具備業界領先的高速率、超低功耗的特性,顯著提升終端設備的續航能力與流暢體驗,滿足日益增長的高清顯示、多任務處理等各類高性能需求。

展會期間,紫光國芯重點展示了其行業領先的三維堆疊DRAM(SeDRAM)技術與CXL內存擴展主控產品方案。其中,依托深耕10年的技術積累和持續創新,紫光國芯的SeDRAM技術憑借超大帶寬與超低功耗優勢,可為算力芯片提供最優存儲解決方案,助力用戶產品性能的極致釋放。同時展出的CXL內存擴展主控產品方案,能有效擴展系統內存帶寬與容量,支持高性能服務器實現TB級內存突破。

紫光國芯依托多年優勢技術研發積累,可提供高性能、低功耗、高可靠的存儲解決方案;結合本地化技術支持,協同國產AIoT芯片領軍企業瑞芯微,實現了端側算力平臺的優勢互補。 未來,紫光國芯將持續深化與產業伙伴的合作,以創新的存儲技術和產品方案賦能更廣闊的應用場景,助力客戶產品競爭力提升。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:紫光國芯受邀參展2025 RKDC,多款存儲創新成果亮相

文章出處:【微信號:gh_fb990360bfee,微信公眾號:西安紫光國芯半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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