炎炎夏日，你以為空調是耗電大戶？

其實真正的“能耗巨獸”是它——AI數據中心

看一個數據，以GPT-4為例，單次訓練耗能相當于3000戶家庭年用電量

安森美（onsemi）早已備下全環(huán)節(jié) “降能耗 + 穩(wěn)運行” 方案，助力AI數據中心在效率、功率密度和系統(tǒng)成本之間實現最佳平衡

這就來一探究竟

安森美為AI數據中心提供從電網到GPU的一整套電源解決方案▲

隨著AI算力需求呈指數級增長，服務器電源功率正從當前的3-5kW向20kW以上快速演進，與之匹配的電源供應單元輸出電壓也從傳統(tǒng)12V升級至48V 。面對這一變革，安森美構建了覆蓋電網接入到GPU的全鏈路電源解決方案。

在UPS（不間斷電源）、PDU（電源分配單元）、PSU（電源供應單元）、BBU（電池備份單元）等關鍵子系統(tǒng)中，安森美通過技術協(xié)同效應實現能效躍升。領先的方案融合了先進的硅基（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率開關技術，同時集成柵極驅動器、多相控制器及48V控制器、智能功率級（SPS）模塊、智能熔絲以及負載點（PoL）降壓轉換器等多種元器件。這種組合不僅顯著提升系統(tǒng)能效與功率密度，更能大幅縮減設備體積，為高密度數據中心節(jié)省寶貴空間。

明星產品

EliteSiC 650V MOSFET：能效提升的核心引擎

EliteSiC 650V MOSFET是天生的效率高手，提供了卓越的開關性能和更低的器件電容，可在數據中心中實現更高的效率。與上一代產品相比，新一代SiC MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。

PowerTrenchT10 MOSFET：大電流的 “緊湊管家”

PowerTrench T10 MOSFET系列專為處理對DC-DC 功率轉換級至關重要的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度，還自帶卓越的熱性能，堪稱 “小身材大能量” 的典范。

通過使用PowerTrench T10 MOSFET和EliteSiC 650V解決方案，數據中心的電力損耗能直接減少約1%。別小看這1%，如果在全球的數據中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量。

高壓總線架構“智能衛(wèi)士”

安森美的SiC Combo JFET為400/800V DC高壓總線架構應用設計，熱插拔/eFuse這些關鍵場景全靠它護駕。這些器件提供高開關頻率，并實現行業(yè)內最低的每單位面積RDS(on)。

SPM31 智能功率模塊：變頻驅動的 “性能王者”

安森美的第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列，在三相變頻驅動應用如AI數據中心等應用中非常能打。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現比市場上其他解決方案更低的整體系統(tǒng)成本。

AI數據中心應用中安森美擁有豐富產品線▲