在硅片清洗過程中，某些部位需避免接觸清洗液，以防止腐蝕、污染或功能失效。以下是需要特別注意的部位及原因：

一、禁止接觸清洗液的部位

1. 金屬互連線與焊墊（Metal Interconnects & Pads）

• 風險：
  • 強酸/堿清洗液（如DHF、BOE）會腐蝕鋁（Al）、銅（Cu）等金屬層；
  • 焊墊氧化或污染可能導致后續焊接失效。
• 保護措施：
  • 使用光刻膠或硬質掩膜（如SiO?）覆蓋金屬區域；
  • 選擇中性清洗液（如去離子水+IPA）或局部清洗工藝。

2. 高鉀玻璃或低熔點材料（如焊料）

• 風險：
  • 堿性溶液（如NH?OH）會與玻璃中的Na?、K?反應，導致表面粗糙或腐蝕；
  • 高溫清洗可能熔化低熔點材料（如Indium焊料）。
• 保護措施：
  • 采用緩沖HF（BHF）替代強堿清洗；
  • 控制清洗溫度（<60℃）。

3. 介電層邊緣（如SiO?/SiN?側壁）

• 風險：
  • 各向同性腐蝕液（如BOE）會橫向侵蝕介電層，導致尺寸偏差；
  • 超聲清洗可能引起邊緣碎裂。
• 保護措施：
  • 使用各向異性腐蝕液（如KOH蝕硅停止層）；
  • 降低超聲功率或采用噴淋替代浸泡。

4. 背面研磨區（Backside Grinding Area）

• 風險：
  • 粗糙背面易吸附顆粒或殘留清洗液，污染正面電路；
  • 強酸清洗可能導致背面金屬污染（如來自載具的Fe、Ni）。
• 保護措施：
  • 背面貼覆保護膠帶（如PVA薄膜）；
  • 單獨清洗背面或使用低濃度溶液。

5. 鍵合界面（如Cu-Cu thermocompression bonding區域）

• 風險：
  • 清洗液滲入鍵合間隙，導致氧化或腐蝕；
  • 殘留溶劑破壞表面能，降低鍵合強度。
• 保護措施：
  • 使用惰性氣體吹掃代替液體清洗；
  • 采用等離子體清洗局部處理。

6. 鈍化層開口（Passivation Opening）

• 風險：
  • 清洗液通過開口腐蝕下方器件（如晶體管柵極）；
  • 顆粒堵塞開口導致漏電。
• 保護措施：
  • 控制清洗時間（如<5分鐘）；
  • 使用離心力輔助去除開口污染物。

二、需謹慎處理的區域

1. 淺溝槽隔離（STI）區域

• 風險：各向同性腐蝕液可能擴大溝槽寬度，影響器件隔離性能。
• 對策：采用各向異性腐蝕液（如TMAH）或縮短清洗時間。

2. TSV（Through-Silicon Via）孔隙

• 風險：深孔內清洗液殘留難以完全去除，導致腐蝕或顆粒吸附。
• 對策：
  • 超聲+離心甩干組合工藝；
  • 使用低表面張力溶劑（如氟化液）輔助干燥。

3. 歐姆接觸區（如NiPtSi）

• 風險：強氧化性溶液（如SC-1）可能氧化接觸金屬，增加電阻。
• 對策：局部遮擋或采用無氧清洗（如氮氣環境）。

三、通用保護原則

掩膜策略：

• 光刻膠、硬質掩膜（如SiO?）或臨時覆蓋層（如石蠟）可屏蔽敏感區域。
• 例：RCA清洗前用光刻膠保護金屬焊墊。

分步清洗：

• 先去除主體污染物（如超聲+溶劑），再處理頑固區域（如局部等離子體）。
• 避免長時間浸泡導致全局腐蝕。

清洗后處理：

• 立即用去離子水沖洗，防止清洗液殘留；
• 烘干前用氮氣吹掃表面，減少水痕和顆粒吸附。