Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1雙向ESD保護二極管設計用于鉗位ESD和浪涌等有害瞬態。ESD851/ESD851-Q1的額定ESD沖擊消散值高達 ±30kV(接觸放電和氣隙放電),超過了IEC 61000-4-2國際標準中規定的最高級別(4級)。對于浪涌,根據IEC 61000-4-5標準,該器件可以鉗制峰值電流高達6.5A的8/20μs浪涌。
數據手冊:
該器件還具有4.3pF(典型值)IO電容,能夠保護數據線。其低動態電阻和低鉗位電壓可為瞬態事件提供系統級保護。Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1采用行業通用的引線式SOD-323封裝,便于焊接操作。ESD851-Q1器件符合AEC-Q100標準,適用于汽車應用。
特性
- IEC 61000-4-2 ESD保護
- ±30kV接觸放電
- ±30kV氣隙放電
- IEC 61000-4-5浪涌保護
- 6.5 A (8/20μs)
- 在6.5A (8/20μs) 的鉗位電壓:71V
- IO電容:4.3pF(典型值)
- 直流擊穿電壓:37.8V(最小值)
- 超低漏電流:10nA(最大值)
- 在16A TLP的ESD鉗位電壓:56V
- 工業溫度范圍:-55°C至+150°C
- 行業標準SOD-323引線式封裝 (2.5mm × 1.2mm)
應用
- I/O保護
- 醫療和保健
- 電器
- 照明
- 測試與測量
功能框圖
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